[发明专利]亚微米间距金属层上的模拟电容器

说明书

一种微电子装置(100)包含电容器(112)，所述电容器(112)具有：互连件金属下板(114)；电容器电介质层(116)，其具有下二氧化硅层(130)、氮氧化硅层(132)和上二氧化硅层(134)；和所述电容器电介质层(116)上方的上板(118)。所述氮氧化硅层(132)在248纳米的波长下具有1.85到1.95的平均折射率。为了形成所述微电子装置(100)，在互连件金属层上方依次形成所述下二氧化硅层(130)、所述氮氧化硅层(132)和所述上二氧化硅层(134)。形成所述上板(118)，从而在所述互连件金属层上方留下所述下二氧化硅层(130)、所述氮氧化硅层(132)和所述上二氧化硅层(134)的至少一部分。使用所述氮氧化硅层(132)作为抗反射层，由光刻胶在所述上板(118)和所述氮氧化硅层(132)上方形成互连件掩模。

这通常涉及微电子装置，更具体地涉及微电子装置中的电容器。

背景技术

微电子装置可以包含互连件区域中的电容器。电容器的下板可以是作为互连件层的一部分的金属层，以降低微电子装置的成本和复杂性。互连件层可以包含蚀刻铝的互连件。电容器期望几种特性。第一期望特性是高电容密度，其可以表达为电容与电容器所占面积的较高比率。第二期望特性是在施加到电容器的电压的范围内的较小电容变化。第三期望特性是高可靠性，其可以被理解为在微电子装置的预期操作条件下在微电子装置的预期操作寿命内满足第一和第二期望特性。第四期望特性是电容器制造操作与用于形成含有电容器的下板的互连件层的蚀刻掩模的图案化步骤的兼容性。此期望特性限制了下板上方的电容器电介质层的厚度和组成。同时获得所有四种期望特性是有问题的。

发明内容

在所描述的实例中，微电子装置包含电容器，所述电容器具有互连件金属下板。电容器电介质层具有下板上方的下二氧化硅层、下二氧化硅层上方的氮氧化硅层和氮氧化硅层上方的上二氧化硅层。电容器的上板位于上二氧化硅层上方。氮氧化硅层在248纳米的波长下具有1.85到1.95的平均折射率。上板从下板的侧向周边凹进。下二氧化硅层、氮氧化硅层和上二氧化硅层的一部分在下板上延伸超过上板。

在形成微电子装置的方法中，在微电子装置上形成互连件金属层。在互连件金属层上方依次形成下二氧化硅层、氮氧化硅层和上二氧化硅层。在上二氧化硅层上方形成上板层。图案化上板层以形成上板，从而在互连件金属层上方留下下二氧化硅层、氮氧化硅层和上二氧化硅层的一部分。使用下二氧化硅层、氮氧化硅层和上二氧化硅层的所述部分作为抗反射层，由光刻胶在上板和氮氧化硅层上方形成互连件掩模，从而覆盖下板和互连件的区域。在由互连件掩模暴露的地方去除互连件层，从而留下下板和互连件。

附图说明

图1是包含具有互连件金属下板的电容器的示范性微电子装置的横截面。

图2是包含具有互连件金属下板的电容器的另一示范性微电子装置的横截面。

图3A至图3L是包含具有互连件金属下板的电容器的微电子装置的横截面，其以示范性形成方法的连续阶段描绘。

具体实施方式

附图未按比例绘制。本说明书不受动作或事件的所示顺序的限制，因为一些动作或事件可以以不同的顺序和/或与其它动作或事件同时发生。此外，一些示出的动作或事件是任选的。

以下共同未决专利申请由此通过引用并入：专利申请号US 15/793,607。