[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序在审

申请号：	201880059218.0	申请日：	2018-03-01
公开（公告）号：	CN111095517A	公开（公告）日：	2020-05-01
发明（设计）人：	广地志有	申请（专利权）人：	株式会社国际电气
主分类号：	H01L21/677	分类号：	H01L21/677
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	金成哲;郑毅
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理装置半导体制造方法程序
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【说明书】：

本发明提供一种即使在设有基板冷却工序的情况下也能够抑制生产率降低的电磁波处理技术。具有对基板进行加热的处理室、使由所述处理室加热的基板冷却的冷却室、以及输送所述基板的基板输送部，利用所述基板输送部搬入所述处理室的所述基板的个数比搬入所述冷却室的基板的个数多。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序。

背景技术

作为半导体装置(半导体器件)的制造工序中的一种工序，例如是利用加热装置对处理室内的基板进行加热并使形成于基板表面的薄膜中的成分或晶体结构变化、或者对所形成的薄膜内的晶体缺陷等进行修复的退火处理等改性处理。近年来的半导体器件的精密化、高集成化程度进一步提高，相应地要求进行改性处理以获得形成有具有较高纵横比的图案的高密度的基板。作为获得这种高密度基板的改性处理方法有利用电磁波的热处理方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2015－070045号公报

发明内容

发明所要解决的课题

就现有的利用电磁波的处理而言，由于需要设置使经热处理加热为高温的基板在处理室内冷却的冷却工序而有可能导致生产率降低。

本发明的目的在于提供一种即使在设有基板冷却工序的情况下也能够抑制生产率降低的电磁波处理技术。

用于解决课题的方案

根据本发明的一个方案，提供如下一种技术，

具备对基板进行加热的处理室、使经所述处理室加热的基板冷却的冷却室、以及输送所述基板的基板输送部，利用所述基板输送部搬入至所述处理室的所述基板的个数比利用所述基板输送部搬入至所述冷却室的基板的个数多。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种即使在设有基板冷却工序的情况下也能够抑制生产率降低的电磁波处理技术。