[发明专利]具备功能性芯片的基板的研磨方法在审
申请号: | 201880057226.1 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN111095492A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 户川哲二;曾布川拓司;畠山雅规 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/013;B24B49/04;B24B49/10;B24B49/12;B24B49/16 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具备 功能 芯片 研磨 方法 | ||
本发明为了在适当位置结束研磨而检测研磨的终点位置。根据一个实施方式,提供一种具备功能性芯片的基板的化学机械研磨方法,该方法具有以下步骤:在基板配置功能性芯片的步骤;在所述基板配置终点检测元件的步骤;由绝缘材料对配置有所述功能性芯片及所述终点检测元件的基板进行密封的步骤;研磨所述绝缘材料的步骤;及研磨所述绝缘材料时,依据所述终点检测元件来检测研磨终点的步骤。
技术领域
本发明关于一种具备功能性芯片的基板的研磨方法。
背景技术
为了实现电子产品的小型化、高性能化,多层堆栈多个半导体芯片形成一个封装体的立体安装技术受到瞩目。也提出有为了高集积化而积层具有同样功能的薄板化的各个半导体芯片或是具有不同功能的薄板化的半导体芯片,通过取得各半导体芯片间的电性连接,谋求半导体芯片的高密度安装的立体安装技术。具备立体构造的封装体中,半导体芯片间为了电性连接而使用插入器或互连芯片。此外,为了形成立体配线构造,以绝缘材料密封配置半导体芯片的层,并在绝缘材料上形成其次的配线构造。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-287803号公报
发明内容
如上述,为了形成具有埋入芯片的立体配线构造,而在绝缘材料上形成配线构造。因而,需要将绝缘材料表面形成平坦。为了将绝缘材料表面平坦化可使用化学机械研磨(CMP)。研磨绝缘材料而使用CMP时,为了在适当位置结束研磨,需要检测研磨的终点位置。因此,本发明的目的为提供研磨绝缘材料的方法。
(解决问题的手段)
[方式1]方式1提供一种具备功能性芯片的基板的研磨方法,对所述基板进行化学机械研磨,其中,具有以下步骤:在基板配置功能性芯片的步骤;在所述基板配置终点检测元件的步骤;由绝缘材料对配置有所述功能性芯片及所述终点检测元件的基板进行密封的步骤;研磨所述绝缘材料的步骤;及研磨所述绝缘材料时,依据所述终点检测元件来检测研磨终点的步骤。
[方式2]方式2如方式1的方法,其中,所述终点检测元件具有反射元件,所述研磨方法具有以下步骤:对所述反射元件照射光的步骤;及接收从所述反射元件反射的光的步骤。
[方式3]方式3如方式1或方式2的方法,其中,具有将所述终点检测元件通过粘接剂而固定于功能性芯片的上表面的步骤。
[方式4]方式4如方式1至方式3中任何一个方式的方法,其中,所述终点检测元件具有虚拟元件,该虚拟元件与构成在基板上的功能无关。
[方式5]方式5如方式1至方式4中任何一个方式的方法,其中,具有以下步骤:在所述绝缘材料上形成金属层的步骤;及研磨所述金属层的步骤;在研磨所述金属层时,依据(1)通过涡电流传感器检测的涡电流的变化;(2)通过光学传感器检测的来自金属层的反射光的变化;及(3)研磨阻力的变化中的至少一个来检测研磨终点。
[方式6]方式6如方式1至方式4中任何一个方式的方法,其中,具有以下步骤:在所述绝缘材料上形成障壁模塑层的步骤;及在所述障壁模塑层上形成金属层的步骤;在研磨所述金属层时,依据(1)通过涡电流传感器检测的涡电流的变化;(2)通过光学传感器检测的来自金属层的反射光的变化;及(3)研磨阻力的变化中的至少一个来检测研磨终点。
[方式7]方式7如方式1至方式6中任何一个方式的方法,其中,具有以下步骤:在研磨绝缘材料后,对绝缘材料实施配线用加工的步骤;及对加工后的绝缘材料表面实施用于提高亲水性的表面处理的步骤。
[方式8]方式8提供一种具备功能性芯片的基板的化学机械性研磨方法,基板处于配置有功能性芯片及终点检测元件且由绝缘材料密封的状态,所述研磨方法具有以下步骤:研磨所述绝缘材料的步骤;及在研磨所述绝缘材料时,依据所述终点检测元件检测研磨终点的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造