[发明专利]具备功能性芯片的基板的研磨方法在审
申请号: | 201880057226.1 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN111095492A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 户川哲二;曾布川拓司;畠山雅规 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/013;B24B49/04;B24B49/10;B24B49/12;B24B49/16 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具备 功能 芯片 研磨 方法 | ||
1.一种具备功能性芯片的基板的研磨方法,对所述基板进行化学机械研磨,该研磨方法的特征在于,具有以下步骤:
在基板配置功能性芯片的步骤;
在所述基板配置终点检测元件的步骤;
由绝缘材料对配置有所述功能性芯片及所述终点检测元件的基板进行密封的步骤;
研磨所述绝缘材料的步骤;及
研磨所述绝缘材料时,依据所述终点检测元件来检测研磨终点的步骤。
2.如权利要求1所述的研磨方法,其特征在于,
所述终点检测元件具有反射元件,
所述研磨方法具有以下步骤:
对所述反射元件照射光的步骤;及
接收从所述反射元件反射的光的步骤。
3.如权利要求1或2所述的研磨方法,其特征在于,
具有将所述终点检测元件通过粘接剂而固定于功能性芯片的上表面的步骤。
4.如权利要求1-3中任一项所述的研磨方法,其特征在于,
所述终点检测元件具有虚拟元件,该虚拟元件与构成在基板上的功能无关。
5.如权利要求1-4中任一项所述的研磨方法,其特征在于,具有以下步骤:
在所述绝缘材料上形成金属层的步骤;及
研磨所述金属层的步骤;
在研磨所述金属层时,依据
(1)通过涡电流传感器检测的涡电流的变化;
(2)通过光学传感器检测的来自金属层的反射光的变化;及
(3)研磨阻力的变化
中的至少一个来检测研磨终点。
6.如权利要求1-4中任一项所述的研磨方法,其特征在于,具有以下步骤:
在所述绝缘材料上形成障壁模塑层的步骤;及
在所述障壁模塑层上形成金属层的步骤;
在研磨所述金属层时,依据
(1)通过涡电流传感器检测的涡电流的变化;
(2)通过光学传感器检测的来自金属层的反射光的变化;及
(3)研磨阻力的变化
中的至少一个来检测研磨终点。
7.如权利要求1-6中任一项所述的研磨方法,其特征在于,具有以下步骤:
在研磨绝缘材料后,对绝缘材料实施配线用加工的步骤;及
对加工后的绝缘材料表面实施用于提高亲水性的表面处理的步骤。
8.一种具备功能性芯片的基板的研磨方法,对所述基板进行化学机械研磨,该研磨方法的特征在于,
基板处于配置有功能性芯片及终点检测元件且由绝缘材料密封的状态,
所述研磨方法具有以下步骤:
研磨所述绝缘材料的步骤;及
在研磨所述绝缘材料时,依据所述终点检测元件检测研磨终点的步骤。
9.如权利要求8所述的研磨方法,其特征在于,
所述终点检测元件具有反射元件,
所述研磨方法具有以下步骤:
对所述反射元件照射光的步骤;及
接收从所述反射元件反射的光的步骤。
10.如权利要求8或9所述的研磨方法,其特征在于,
所述终点检测元件通过粘接剂而固定于功能性芯片的上表面。
11.如权利要求8-10中任一项所述的研磨方法,其特征在于,
所述终点检测元件具有虚拟元件,该虚拟元件与构成在基板上的功能无关。
12.如权利要求8-11中任一项所述的研磨方法,其特征在于,
所述基板处于在所述绝缘材料上形成有金属层的状态,
所述研磨方法具有研磨所述金属层的步骤,
在研磨所述金属层时,依据
(1)通过涡电流传感器检测的涡电流的变化;
(2)通过光学传感器检测的来自金属层的反射光的变化;及
(3)研磨阻力的变化
中的至少一个来检测研磨终点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造