[发明专利]半导体装置用Cu合金接合线有效

申请号：	201880051714.1	申请日：	2018-08-07
公开（公告）号：	CN111033706B	公开（公告）日：	2021-05-25
发明（设计）人：	小山田哲哉;宇野智裕;山田隆;小田大造	申请（专利权）人：	日铁化学材料株式会社;日铁新材料股份有限公司
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60
代理公司：	北京天达共和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11586	代理人：	张嵩;薛仑
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置 cu 合金接合
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【权利要求书】：

1.一种半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，

线表面的结晶方位中，相对于与包含线中心轴的一个平面垂直的方向的角度差为15度以下的＜110＞结晶方位和＜111＞结晶方位的存在比率的合计以平均面积率表示为40％以上90％以下，所述存在比率是所述＜110＞结晶方位和＜111＞结晶方位占的面积相对于测量区域的面积的比率，所述平均面积率是测量多处得到的所述存在比率的合计的各值的算术平均。

2.根据权利要求1所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，

所述线表面的结晶方位中，相对于所述线中心轴方向的角度差为15度以下的＜100＞结晶方位的存在比率以平均面积率表示为30％以上100％以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，

在平行于所述线中心轴的方向的截面中的结晶方位中，相对于所述线中心轴方向的角度差为15度以下的＜111＞结晶方位和＜100＞结晶方位的存在比率的合计以平均面积率表示为25％以上100％以下。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，

总计包含0.01质量％以上1.5质量％以下的Ni、Pd、Pt、Au的一种以上，剩余部分为Cu和不可避免的杂质。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，

总计包含0.001质量％以上0.75质量％以下的P、In、Ga、Ge、Ag的一种以上，剩余部分为Cu和不可避免的杂质。

6.根据权利要求4所述的半导体装置用Cu合金接合线，其特征在于，

还总计包含0.001质量％以上0.75质量％以下的P、In、Ga、Ge、Ag的一种以上，剩余部分为Cu和不可避免的杂质。

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