[发明专利]具有至少一个功率半导体的功率模块有效
申请号: | 201880050127.0 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN110998827B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 斯特凡·普费弗莱因 | 申请(专利权)人: | 西门子股份公司 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L23/13;H01L25/07 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李海霞 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 至少 一个 功率 半导体 模块 | ||
1.一种功率模块(2),具有:至少一个功率半导体(4),
所述功率半导体具有第一接触面(4a)和与所述第一接触面(4a)相对置的第二接触面(4b);和
基底(6),所述基底包括至少两个叠置的互相连接的层,
其中,第一层(8)包括具有至少一个第一金属化部(14)的第一电介质材料,
其中,所述第一金属化部(14)布置在朝向第二层(10)的侧面上,
其中,所述第二层(10)包括具有至少一个第二金属化部(16)的第二电介质材料,
其中,所述第二金属化部(16)布置在背离所述第一金属化部(14)的侧面上,
其中,所述功率半导体(4)通过所述第一接触面(4a)与所述第一金属化部(14)连接,
其中,所述功率半导体(4)布置在所述第二层(10)的第一留空部(20)中,
其中,布置有金属的第一封装(28),从而
-流体密封地封装所述功率半导体(4),并且
-所述功率半导体(4)的所述第二接触面(4b)通过所述第一封装(28)与所述第二金属化部(16)导电地连接。
2.根据权利要求1所述的功率模块(2),其中,所述功率半导体是功率晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的功率模块(2),其中,所述第一封装(28)通过增材制造法制成。
4.根据权利要求1或2所述的功率模块(2),其中,在所述第一留空部(20)中设有电绝缘的灌注材料(26)。
5.根据权利要求1或2所述的功率模块(2),其中,所述第一层(8)包括第三金属化部(30),所述第三金属化部布置在与所述第一金属化部(14)相对置的侧面上,和/或其中,所述第二层(10)包括第四金属化部(32),所述第四金属化部布置在与所述第二金属化部(16)相对置的侧面上。
6.根据权利要求1或2所述的功率模块(2),其中,所述第一封装(28)与所述功率半导体(4)的所述第二接触面(4b)通过焊接或烧结连接。
7.根据权利要求1或2所述的功率模块(2),其中,所述第二金属化部(16)具有环绕的金属化部(22),所述环绕的金属化部围绕所述第二层的所述第一留空部(20),其中,所述第一封装(28)与所述环绕的金属化部(22)流体密封地连接。
8.根据权利要求7所述的功率模块,其中,所述第一封装(28)至少延伸经过所述第一留空部(20)并且至少延伸经过所述环绕的金属化部(22)的一部分。
9.根据权利要求1或2所述的功率模块,其中,所述第一金属化部(14)的至少一部分通过第二封装(34)与所述第二金属化部(16)的至少一部分导电地连接。
10.根据权利要求9所述的功率模块,其中,在所述第二层中设有第二留空部,在所述第二留空部(36)中布置电绝缘的灌注材料(26),并且其中,所述第二留空部(36)由所述第二封装(34)流体密封地封闭。
11.根据权利要求9所述的功率模块,其中,所述第二封装(34)与所述第一金属化部(14)通过金属模制件(40)连接。
12.根据权利要求11所述的功率模块,其中,所述金属模制件实施为圆片坯料。
13.根据权利要求9所述的功率模块,其中,所述第二封装(34)通过增材制造法制成。
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