[发明专利]硅晶片有效
| 申请号： | 201880046219.1 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN111164240B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 小野敏昭;高奉均 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅晶片，其在器件工序中在一侧的主表面形成有构成半导体器件层的多层膜，因所述多层膜的各向同性的膜应力而弯曲成碗型，所述硅晶片的特征在于，
面取向为（111），缺口取向为＜112＞，
并且依据ASTM F121, 1979，氧浓度为8.2×1017atoms/cm3以上。
2.根据权利要求1所述的硅晶片，其中，
所述半导体器件层包括3DNAND快闪存储器。
3.一种硅晶片，其在器件工序中在一侧的主表面形成有构成半导体器件层的多层膜，因所述多层膜的各向异性的膜应力而弯曲成鞍型，所述硅晶片的特征在于，
面取向为（110），缺口取向为＜111＞，
并且依据ASTM F121, 1979，氧浓度为10.9×1017atoms/cm3以上。
4.根据权利要求3所述的硅晶片，其中，
所述半导体器件层包括3DNAND快闪存储器。
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