[发明专利]具有反射侧壁的发光器件

说明书

本发明的实施例包括包含半导体结构的半导体发光器件。半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的发光层。波长转换结构设置在由发光层发射的光的路径中。漫反射器沿着半导体发光器件和波长转换结构的侧壁设置。漫反射器包括颜料。反射层设置在漫反射器和半导体结构之间。反射层是与漫反射器不同的材料。

背景技术

发光二极管（“LED”）是固态器件，其以某个频率发射光。诸如磷光体层的频率修改元件被用来将从固态光发射器发射的至少一些光转换成以其他频率的光，以产生与从LED发射的光不同颜色的光。其他颜色调解元件可以被包括在用于一个或多个LED的封装中，以修改来自LED的光。不断进行改进LED颜色调解技术。

附图说明

图1是III族氮化物LED的一个示例的截面图。

图2是图示图1的器件中的接触部的布置的平面图。

图3图示了一器件，该器件包括LED、波长转换结构以及设置在LED和波长转换结构的侧壁上的反射材料。

图4是图3中图示的器件的俯视图。

图5、6和7是包括设置在漫反射侧壁与LED和/或波长转换结构之间的薄反射层的器件的截面图。

图8是包括冷白色发射器、暖白色发射器和漫反射侧壁的器件的截面图。

图9是图8的器件的俯视图。

具体实施方式

本发明的实施例包括LED，该LED包括形成在半导体结构的侧壁上的第一反射器以及与该第一反射器相邻形成的第二反射器。当从器件的顶部观看时，可以针对第二反射器的特定切断状态外观来选择第二反射器。

尽管在下面的示例中，半导体发光器件是发射蓝光或UV光的III族氮化物LED，但是除了LED之外的半导体发光器件（诸如激光二极管）以及由其他材料系统（诸如其他III-V族材料、III族磷化物、III族砷化物、II-VI族材料、ZnO或基于Si的材料）制成的半导体发光器件可以被使用。

包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光器件位于目前可获得的最高效的光源之列。在能够跨可见谱操作的高亮度发光器件的制造中，目前感兴趣的材料系统包括Ⅲ-Ⅴ族半导体，尤其是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，它们也被称作Ⅲ-氮化物材料。典型地，Ⅲ-氮化物发光器件通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技术，通过在蓝宝石、碳化硅、Ⅲ-氮化物或其他合适的衬底上外延生长具有不同成分和不同掺杂剂浓度的半导体层的叠层来制造。该叠层通常包括在衬底之上形成的一个或多个掺杂有例如Si的n型层、在一个或多个n型层之上形成的一个或多个处于有源区的发光层、以及在有源区之上形成的一个或多个掺杂有例如Mg的p型层。在n型区和p型区上形成电气接触部。

图1图示出了适合于用于本发明实施例中的半导体发光器件1。图1中图示的器件仅仅是可以供本发明的实施例使用的器件的一个示例。任何合适的器件都可以供本发明的实施例使用——本发明的实施例不限于图1中图示的细节。例如，尽管图1图示了倒装芯片器件，但是本发明的实施例可以供其他器件几何形状使用，并且不限于倒装芯片器件。