[发明专利]具有反射侧壁的发光器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

半导体发光器件，包括半导体结构，所述半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的发光层；

波长转换结构，在所述发光半导体结构的顶表面上；

第一反射器，与所述半导体结构和所述波长转换结构的侧壁相邻，所述第一反射器包括颜料；以及

第二反射器，在所述第一反射器和所述发光半导体结构之间，所述第二反射器包括交替的第一和第二绝缘层，所述第一绝缘层具有与所述第二绝缘层不同的折射率。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一反射器包括在透明材料中的颗粒。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一反射器具有与所述波长转换结构的顶表面处于相同的高度的顶表面。

4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述颗粒是氧化物的颗粒，并且所述透明材料包括硅树脂。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述颜料匹配所述波长转换结构的切断状态颜色。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二反射器包括被配置为反射来自所述半导体结构的未转换光的第一部分和被配置为反射来自所述波长转换结构的光的第二部分。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一绝缘层由第一氧化物材料形成，并且所述第二绝缘层由第二氧化物材料形成。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二反射器也在所述第一反射器和所述波长转换结构之间。

9.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一反射器是漫反射器。

10.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二反射器具有在1至50微米之间的厚度。

11.一种器件，包括：

多个发光器件，所述多个发光器件中的每一个包括：

半导体发光器件，包括半导体结构，所述半导体结构包括设置在n型区和p型区之间的发光层，

波长转换结构，在所述发光半导体结构的顶表面上，

第一反射器，与所述半导体结构和所述波长转换结构的侧壁相邻，所述第一反射器包括颜料，以及

第二反射器，在所述第一反射器和所述发光半导体结构之间，所述第二反射器包括交替的第一和第二绝缘层，所述第一绝缘层具有与所述第二绝缘层不同的折射率。

12.根据权利要求11所述的器件，其中，所述多个发光器件包括第一发光器件和第二发光器件，并且所述第一反射器还在所述第一发光器件和所述第二发光器件之间。

13.根据权利要求11所述的器件，其中，所述多个发光器件包括第一发光器件和第二发光器件，并且所述第一发光器件还包括在所述波长转换结构之上的另一波长转换结构，所述另一波长转换结构具有与所述波长转换结构相同的切断状态外观。

14.根据权利要求13所述的器件，其中，所述第一发光器件是暖白色发射器，并且所述第二发光器件是冷白色发射器。

15.根据权利要求13所述的器件，其中，所述第二反射器还在所述波长转换结构和所述第一发光器件中的另一个波长转换结构之间。

16.根据权利要求13所述的器件，其中，所述另一个波长转换结构还包括在所述发光半导体结构、所述第一反射器和所述第二反射器的上表面之上的光散射材料的连续层。

17.根据权利要求16所述的器件，其中，所述光散射材料包括透明材料中的氧化物颗粒和氧化铝颗粒中的一种。