[发明专利]用于确定用于对准测量的取样图的系统和方法

说明书

一种用于确定用于对准测量的样本图的系统包含计量工具及控制器。所述控制器定义包含多个测量位置的全取样图。所述控制器引导所述计量工具针对多个样本在所述全取样图的每一测量位置处测量对准以产生参考对准数据集，且所述控制器产生各自为所述全取样图的子集的候选取样图。所述控制器进一步可基于所述两个或多于两个候选取样图在所述全取样图的每一测量位置处依据位置估计对准，且通过比较所述估计对准与所述参考对准数据集且选择具有超过选定容限的最小数目个对准估计的所述候选取样图而确定工作取样图。

相关申请案的交叉参考

本申请案依据35U.S.C.§119(e)规定主张2017年1月5日申请的以布伦特·艾伦·里格斯(Brent Allen Riggs)、奥努尔·尼哈特·德米雷尔(Onur Nihat Demirer)及威廉·皮尔逊(William Pierson)为发明者的标题为用于超出规格点减少的叠加及对准的取样优化方法(SAMPLING OPTIMIZATION METHODS FOR OVERLAY AND ALIGNMENT OUT OFSPEC POINT REDUCTION)的序列号为62/442,843的美国临时申请案的权利，所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及对准计量，且更特定来说，涉及确定用于对准计量的取样位置。

背景技术

在制造工艺的各个步骤，必须将半导体晶片准确地定位于制造工具内以适当地产生印刷特征。因此，可在整个制造工艺中利用计量工具来监测晶片在制造工具内的对准及/或晶片上的印刷层的叠加。例如，计量工具可在曝光步骤之前测量晶片在光刻工具中的对准以确保待曝光图案与样本上的现有特征适当对准。通过另一实例，计量工具可测量晶片上的两个或多于两个印刷层的叠加以特性化制造工艺的精度。因此，对准数据可包含但不限于与样本在制造工具中的对准相关联的样本对准数据或与晶片的两个或多于两个印刷层的对准相关联的叠加数据。

计量工具通常可在跨晶片的多个位置处测量对准且产生数学模型，以跨晶片的至少一部分估计对准。然而，在生产环境中执行的对准测量的数目必须经选择以平衡模型的准确性与对处理量的影响。因此，将期望提供一种用于解决例如上文识别的缺陷的缺陷的系统及方法。

发明内容

本发明揭示一种根据本发明的一或多个说明性实施例的系统。在一个说明性实施例中，所述系统包含计量工具。在另一说明性实施例中，所述系统包含控制器。在一个说明性实施例中，所述控制器定义包含多个测量位置的全取样图。在另一说明性实施例中，所述控制器引导所述计量工具针对多个样本在所述全取样图的每一测量位置处测量对准以产生参考对准数据集，其中经测量对准是基于由检测器收集的从所述样本发出的辐射。在另一说明性实施例中，所述控制器产生两个或多于两个候选取样图，其中所述两个或多于两个候选取样图中的每一者是所述全取样图的子集。根据本发明的一或多个说明性实施例，所述控制器基于所述两个或多于两个候选取样图定义两个或多于两个候选取样图模型以依据位置估计对准。在另一说明性实施例中，所述控制器基于所述两个或多于两个候选取样模型计算两个或多于两个估计对准数据集，其中所述两个或多于两个估计对准数据集包含在所述全取样图的所述多个测量位置处进行的对准估计。在另一说明性实施例中，所述控制器通过比较所述两个或多于两个估计对准数据集与所述参考对准数据集而从所述两个或多于两个候选取样图确定工作取样图，其中所述工作取样图包含超过选定容限的最小数目个对准估计。