[发明专利]用于确定用于对准测量的取样图的系统和方法有效
申请号: | 201880011345.3 | 申请日: | 2018-01-03 |
公开(公告)号: | CN110392920B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | W·皮尔逊;O·N·德米雷尔;B·里格斯 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 确定 对准 测量 取样 系统 方法 | ||
1.一种用于确定取样图的系统,其包括:
计量工具;及
控制器,其通信地耦合到所述计量工具,所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器,所述程序指令经配置以使所述一或多个处理器:
定义包含多个测量位置的全取样图;
引导所述计量工具针对多个样本在所述全取样图的每一测量位置处测量对准以产生参考对准数据集,其中经测量对准是基于由检测器收集的从所述样本发出的辐射;
产生两个或多于两个候选取样图,所述两个或多于两个候选取样图中的每一者是所述全取样图的子集;
基于所述两个或多于两个候选取样图定义两个或多于两个候选取样图模型以依据位置估计对准;
基于所述两个或多于两个候选取样图模型计算两个或多于两个估计对准数据集,其中所述两个或多于两个估计对准数据集包含在所述全取样图的所述多个测量位置处进行的对准估计;及
通过比较所述两个或多于两个估计对准数据集与所述参考对准数据集而从所述两个或多于两个候选取样图确定工作取样图,其中所述工作取样图包含超过选定容限的最小数目个对准估计,其中所述选定容限包括:第一容限值,其包含沿第一坐标的估计对准与参考对准测量之间的绝对值差;及第二容限值,其包含沿第二坐标的估计对准与参考对准测量之间的绝对值差。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个处理器进一步经配置以执行程序指令,所述程序指令经配置以使所述一或多个处理器引导所述计量工具在由所述工作取样图定义的测量位置处测量至少一个额外样本的对准。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述参考对准数据集或所述两个或多于两个估计对准数据集的对准数据点包含表示对准误差的向量。
4.根据权利要求3所述的系统,其中关于与坐标系统相关联的第一坐标及第二坐标提供表示对准误差的所述向量。
5.根据权利要求4所述的系统,其中所述坐标系统是笛卡尔坐标系统,其中所述第一坐标是X坐标,其中所述第二坐标是Y坐标。
6.根据权利要求4所述的系统,其中所述坐标系统是极坐标系统,其中所述第一坐标是表示所述对准误差的所述向量的量值,其中所述第二坐标是极角。
7.根据权利要求4所述的系统,其中所述选定容限包括沿所述第一坐标的估计对准与参考对准测量之间的绝对值差。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一容限值及所述第二容限值是相等的。
9.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一容限值不同于所述第二容限值。
10.根据权利要求1所述的系统,其中所述两个或多于两个候选取样图模型包括:
逐图场对准模型或复合图场对准模型中的至少一者。
11.根据权利要求1所述的系统,其中所述参考对准数据集的对准数据点包括:
样本在所述计量工具中的对准误差。
12.根据权利要求1所述的系统,其中所述参考对准数据集的对准数据点包括:
由所述计量工具测量的样本的两个或多于两个层的叠加误差。
13.根据权利要求1所述的系统,其中所述参考对准数据集包括:
所述多个样本的所述全取样图的每一测量位置处的经测量对准数据点的平均值或中值中的至少一者。
14.根据权利要求1所述的系统,其中所述参考对准数据集包括:
所述多个样本的所述全取样图的每一测量位置处的经测量对准数据点的标准偏差或方差中的至少一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造