[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，在具有表侧电极以及背侧电极的表背导通型基板的至少单侧的电极上形成有非电解镀层，所述半导体元件的特征在于，

所述至少单侧的电极的表面平坦，

所述非电解镀层具有形成于所述至少单侧的电极上的非电解镍磷镀层和形成于所述非电解镍磷镀层上的非电解镀金层，在所述非电解镀层的作为被焊料接合的面的表面形成有凹部。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述至少单侧的电极的表面的平坦度用Ra值表示是0.005μm以上且0.15μm以下。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体元件，其特征在于，

形成于所述非电解镀层的表面的凹部的深度是0.05μm以上且1.5μm以下。

4.根据权利要求1或者2所述的半导体元件，其特征在于，

形成于所述非电解镀层的表面的凹部的直径是0.05μm以下。

5.根据权利要求1或者2所述的半导体元件，其特征在于，

所述非电解镍磷镀层具有镍浓度不同的2个层，所述非电解镀金层侧的所述非电解镍磷镀层的镍浓度高于所述至少单侧的电极侧的所述非电解镍磷镀层的镍浓度。

6.根据权利要求1或者2所述的半导体元件，其特征在于，

所述非电解镀层和从由外部端子以及散热基板构成的群选择的至少1个通过焊料接合。

7.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

向表背导通型基板形成表侧电极的工序；以及

针对所述表侧电极依次形成非电解镍磷镀层及非电解镀金层的工序，

在所述表侧电极上形成非电解镍磷镀层时，一边使从由非电解镍磷镀敷液的镍浓度、pH、温度以及搅拌速度构成的群选择的至少1个增大，一边进行非电解镍磷镀敷处理。

8.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

向表背导通型基板形成表侧电极的工序；以及

针对所述表侧电极依次形成非电解镍磷镀层及非电解镀金层的工序，

在所述表侧电极上形成非电解镍磷镀层时，一边使摇动速度以及摇动幅度的至少1个变化，一边进行非电解镍磷镀敷处理。

9.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

向表背导通型基板形成表侧电极的工序；以及

针对所述表侧电极依次形成非电解镍磷镀层及非电解镀金层的工序，

在所述表侧电极上形成非电解镍磷镀层之后，对所述非电解镍磷镀层的表面进行蚀刻处理。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述蚀刻处理是使用包含羧酸的蚀刻液来进行的。

11.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

向表背导通型基板形成表侧电极的工序；以及

针对所述表侧电极依次形成非电解镍磷镀层及非电解镀金层的工序，

在形成所述非电解镀金层时，一边使非电解镀金液的金浓度增加，一边进行非电解镀金处理。

12.根据权利要求11所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

使用金浓度不同的2种非电解镀金液，在使用金浓度为零或者低的一方的所述非电解镀金液来进行非电解镀金处理之后，使用金浓度高的另一方的所述非电解镀金液来进行非电解镀金处理。

13.根据权利要求7～12中的任意一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

通过锌酸盐法形成所述非电解镍磷镀层。

14.根据权利要求7～12中的任意一项所述的半导体元件的制造方法，

还包括：在用铝或者铝合金形成所述表侧电极之后，通过将所述铝或者所述铝合金加热而熔融，使所述表侧电极的表面平坦化的工序。