[发明专利]3D半导体装置及结构

权利要求书

1.一种3D装置，所述装置包括：

至少四个有源晶体管层，每个层包括多个晶体管；以及

针对所述至少四个有源晶体管层中的每个层的至少一个每层可编程触点。

2.根据权利要求1所述的3D装置，还包括：

至少四个覆盖带，其中，每个带控制所述晶体管中的至少一个；以及

四个导电柱，所述导电柱包括与所述带连接的电控制连接件。

3.根据权利要求1所述的3D装置，还包括：

至少四个覆盖带；以及

四个导电柱，所述导电柱包括与所述带连接的电控制连接件，

其中，所述电控制连接件中的至少一个的激活包括通过至少两个所述带路由的电信号。

4.一种3D存储装置，所述装置包括：

多层结构，所述多层结构包括第一填充孔和第二填充孔，

其中，所述第一填充孔包括存储晶体管沟道，所述第二填充孔不包括存储晶体管沟道，并且所述第一填充孔和所述第二填充孔包括自对准的孔轮廓，所述自对准的孔轮廓是在相同的刻蚀步骤中刻蚀形成的结果。

5.一种用于处理3D存储装置的方法，所述方法包括：

提供多层结构；

通过所述多层结构刻蚀多个孔的步骤；以及

密封至少一个所述孔以保护其不经受至少一个后续工艺步骤的步骤，其中，所述至少一个后续工艺步骤影响至少一个所述孔。

6.一种用于处理3D存储装置的方法，所述方法包括：

层替换步骤；以及

在所述层替换步骤期间形成的一个槽内形成至少两条隔离的栅极线的步骤。

7.一种3D装置，所述装置包括：

至少十六个独立的存储单元；以及

控制器，所述控制器被设计成独立地刷新每个所述存储单元。

8.一种3D存储装置，所述装置包括：

存储控制器，所述存储控制器被设计成执行写操作，

其中，所述控制器被设计成使用沟道热电子(CHE)技术和福勒诺德海姆(FN)隧穿写技术执行写操作。

9.一种3D存储装置，所述装置包括：

存储单元沟道；以及

存储控制器，所述存储控制器被设计成执行写操作，

其中，通过使用福勒诺德海姆(FN)隧穿写技术执行所述写操作，并且通过执行所述写操作在所述存储单元沟道上形成至少两个独立可读存储位点。

10.一种3D存储装置，所述装置包括：

多层结构，所述多层结构包括填充孔，所述填充孔包括存储晶体管沟道并且每个所述填充孔包括本体，

其中，所述本体包括金属柱。

11.根据权利要求10所述的3D存储装置，其中，所述金属柱被设计成用作背栅或第二栅。

12.根据权利要求10所述的3D存储装置，其中，所述金属柱被设计成延长所述存储装置的保持时间。

13.一种3D存储装置，所述装置包括：

多层结构，所述多层结构包括填充孔，所述填充孔包括存储晶体管沟道，

其中，每个所述沟道包括至少两个硅层，在所述至少两个硅层之间设置有薄隔离层。

14.一种3D NOR存储装置，所述装置包括：

多层结构，所述多层结构包括填充孔，所述填充孔包括存储晶体管沟道，

其中，至少一个所述沟道为圆形或环形。

15.一种3D NOR存储装置，所述装置包括：

多层结构，所述多层结构包括填充孔，所述填充孔包括存储晶体管沟道，

其中，至少一个所述沟道由至少两个独立的栅控制。