[发明专利]功率半导体模块在审

申请号：	201880010080.5	申请日：	2018-01-31
公开（公告）号：	CN110268519A	公开（公告）日：	2019-09-20
发明（设计）人：	D.吉永;C.帕帕多保罗斯;D.特吕塞尔;F.菲舍尔;S.哈特曼	申请（专利权）人：	ABB瑞士股份有限公司
主分类号：	H01L23/31	分类号：	H01L23/31;H01L23/16;H01L23/24;H01L23/00
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司 72001	代理人：	万欣;陈浩然
地址：	瑞士***	国省代码：	瑞士;CH
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摘要：
搜索关键词：	支承件功率半导体装置保护材料密封材料功率半导体模块壳体覆盖硅胶承载
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【权利要求书】：

1. 一种功率半导体模块，包括支承件(12)，所述支承件承载至少一个功率半导体装置(14)，其中所述支承件(12)与所述功率半导体装置(14)一起至少部分地位于壳体(20)中，其中所述支承件(12)和所述功率半导体装置(14)至少部分地由密封材料(22)覆盖，其中除了所述密封材料(22)之外，在所述壳体(20)中提供保护材料(24)，其中所述保护材料(24)由硅胶形成，并且其中所述保护材料(24)至少部分地覆盖所述支承件(12)、所述功率半导体装置(14)和所述密封材料(22)中的至少一个，其中

所述密封材料(22)包括与所述保护材料(24)的接触区域(30)，其中所述密封材料(22)构造在所述接触区域(30))处，其中

所述密封材料(22)通过粗糙区域、至少一个凸起(28)或至少一个凹口构造在所述接触区域(30)处。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，至少一个功率半导体装置(14)的至少一个终端(15)由所述密封材料(22)覆盖。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其特征在于，至少一个功率半导体装置(14)的自由区域由所述密封材料(22)完全覆盖。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，至少一个功率半导体装置(14)通过焊线(50)电接触，其中所述焊线(50)由所述密封材料(22)完全覆盖。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，所述支承件(12)包括没有密封材料(22)的连接区域(40)，其中所述连接区域(40)设计用于接收端子板(39)。

6.根据权利要求5所述的功率半导体模块，其特征在于，端子板(39)位于所述连接区域(40)上，其中所述端子板(39)与所述密封材料(22)间隔开。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，所述功率半导体装置(14)通过压配合连接器(54)电连接。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，所述支承件(12)包括基底。

9.根据权利要求8所述的功率半导体模块，其特征在于，所述基底的自由区域由所述密封材料(22)完全覆盖。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，所述密封材料(22)不与所述壳体(20)直接接触。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，所述壳体(20)形成为T形，使得凸起(36)进入所述壳体(20)的内部容积，并且与所述保护材料(24)接触。