[发明专利]半导体装置的制造方法及制造装置

说明书

本发明提供一种半导体装置的制造方法及制造装置，其能够利用更简单的顺序及构成来将晶片组件直接接合于接合对象物。将芯片组件的电极部直接接合于接合对象物即基板上所设置的被接合部的接合方法，包括：将所述基板载置于液槽内的平台的步骤(步骤S10)；将液体注入至所述液槽内的步骤(步骤S14)；以及在所述液槽所积存的液体中，使接合头所保持的所述芯片组件重合于所述接合对象物而进行加压，由此，将所述芯片组件的电极部接合于所述接合对象物的被接合部(电极部)的步骤(步骤S22)。

技术领域

本申请公开一种将芯片(chip)组件的各电极部直接接合于设在接合对象物的被接合部的半导体装置的制造方法及制造装置。

背景技术

近年来，电子机器需要小型化及轻量化，从而需要进一步提高半导体装置的安装密度。作为将构成半导体装置的芯片组件安装于基板等接合对象物的工法，已知有倒装芯片接合(flip chip bonding)。在倒装芯片接合中，在芯片组件形成被称为凸块(bump)的突起，并经由所述凸块来电性连接芯片组件的电极部与接合对象物的被接合部(例如电极部)。

目前，由于基板的进一步的高密度化，也需要此种凸块微细化。然而，凸块的微细化存在限度，因此，也已提出有在一部分消除凸块的无凸块工法。例如，专利文献1中公开有如下接合方法，其使定位于规定的相对位置的芯片组件与接合对象物相互重合而进行加压，由此，根据金属间结合(intermetallic bond)的法则，直接接合芯片组件及接合对象物各自的电极部。根据所述接合方法，无需在芯片组件形成凸块，能够高密度地配置电极部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2005-260173号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，在专利文献1的技术中，为了防止电极部的氧化，将接合头(bonding head)或载置基板的平台(stage)收容于腔室(chamber)内，且使所述腔室内成为真空环境或利用惰性气体来填充所述腔室。在以所述方式将接合头及平台收容于腔室内的情况下，装置整体大型且复杂。而且，需要在接合之前，先使腔室内成为真空或利用惰性气体来填充所述腔室，安装步骤变繁琐。进而，在进行直接接合的情况下，由于不存在将芯片组件与接合对象物(基板等)之间的平行度的不均予以吸收的凸块，故而即使粒子极微小，也会导致接合精度下降。因此，在进行直接接合的情况下，需要在接合之前，预先充分地将芯片组件的电极部及接合对象物的被接合部(电极部)的表面洗净，非常耗费工夫。

因此，在本申请中，公开一种能够利用更简单的顺序及构成来将芯片组件直接接合于接合对象物的半导体装置的制造方法及制造装置。

解决问题的技术手段

本申请所公开的半导体装置的制造方法是将芯片组件的电极部直接接合于设在接合对象物的被接合部的半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法包括：载置步骤，其将所述接合对象物载置于液槽内；液体注入步骤，其将液体注入至所述液槽内；以及在所述液槽所积存的液体中，使接合头所保持的所述芯片组件重合于所述接合对象物，由此，将所述电极部接合于所述被接合部的步骤。

根据所述方法，芯片组件与接合对象物配置于液体中，因此，异物会简单且有效果地被除去。作为结果，能够利用更简单的顺序来将芯片组件直接接合于接合对象物。

所述制造方法也可进而包括：位置检测步骤，其在所述载置步骤之后，所述液体注入步骤之前，检测所述接合对象物的位置；以及定位步骤，其基于所述位置检测步骤中的位置检测结果，使所述接合对象物与所述接合头相互定位。

若设为所述方法，则能够不受液体的影响而对位置进行检测，因此，能够更正确地进行定位，从而能够提高接合精度。