[发明专利]NAND存储器阵列以及形成NAND存储器阵列的方法

说明书

一些实施例包含一种具有交替式绝缘层级和字线层级的竖直堆叠的NAND存储器阵列。所述字线层级具有对应于控制栅极区域的末端。电荷捕集材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区域，并且通过电荷阻挡材料与所述控制栅极区域间隔开。沿着竖直相邻字线层级的所述电荷捕集材料通过中介区域间隔开，其中阻止穿过所述中介区域的电荷迁移。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸并且通过电荷隧穿材料与所述电荷捕集材料间隔开。一些实施例包含形成NAND存储器阵列的方法。

相关专利数据

本申请案主张2017年2月1日申请的标题为“NAND存储器阵列以及形成NAND存储器阵列的方法(NAND Memory Arrays,and Methods of Forming NAND Memory Arrays)”的美国专利申请案第15/422,307号的优先权，所述美国专利申请案的公开内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及NAND存储器阵列以及形成NAND存储器阵列的方法。

背景技术

存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。举例来说，现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用呈固态驱动器的快闪存储器替代常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为所述快闪存储器使得制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使得制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。

NAND可以是集成式快闪存储器的基本架构。NAND单元单位包括与存储器单元的串联组合进行串联耦合的至少一个选择装置(所述串联组合通常被称作NAND串)。NAND架构可被配置成包括竖直堆叠的存储器单元的三维布置。期望开发改进的NAND架构。

附图说明

图1是具有实例NAND存储器阵列的区域的实例集成式结构的示意性横截面侧视图。

图2是具有另一实例NAND存储器阵列的区域的另一实例集成式结构的示意性横截面侧视图。

图3-12是实例方法的处理阶段的实例集成式结构的示意性横截面侧视图。

图13-17是实例方法的处理阶段的实例集成式结构的示意性横截面侧视图。图13的处理阶段可在图7的处理阶段之后。

图18-20是实例方法的处理阶段的实例集成式结构的示意性横截面侧视图。图18的处理阶段可在图8的处理阶段之后。

图21和22是实例方法的处理阶段的实例集成式结构的示意性横截面侧视图。图21的处理阶段可在图15的处理阶段之后。

具体实施方式

NAND存储器单元的操作包括电荷在沟道材料与电荷存储材料之间的移动。举例来说，NAND存储器单元的编程可包括使电荷(即，电子)从沟道材料移动到电荷存储材料中，并且接着将电荷存储在电荷存储材料内。NAND存储器单元的擦除可包括使电洞移动到电荷存储材料中以与存储在电荷存储材料中的电子重组，并且进而从电荷存储材料释放电荷。电荷存储材料可包括电荷捕集材料(例如，氮化硅、金属点等)。常规NAND的问题可能是电荷捕集材料跨存储器阵列的多个存储器单元延伸并且可启动单元之间的电荷迁移。存储器单元之间的电荷迁移可引起数据保持问题。一些实施例包含阻止存储器单元之间的电荷迁移的结构。在实例实施例中，用于阻止电荷迁移的结构可为存储器单元之间的区域中的电荷捕集材料的变薄区域，或可为存储器单元之间的区域中的电荷捕集材料的中断部。参考图1-22描述实例实施例。

参考图1，说明集成式结构10的一部分，其中这类部分包含三维NAND存储器阵列12的片段。