[实用新型]一种半导体引线框架蚀刻设备有效
申请号: | 201822032040.0 | 申请日: | 2018-12-05 |
公开(公告)号: | CN208873706U | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 王锋涛;黄斌;唐世辉;李世春;宋佳骏;雷洋 | 申请(专利权)人: | 四川金湾电子有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306;H01L21/48 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 宋红宾 |
地址: | 629000 四川省遂宁*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 侧支架 取放机构 蚀刻设备 引线框架 滑块 半导体引线框架 移动杆 滑轨 底座 本实用新型 电动液压杆 滑动设置 可翻转的 控制系统 轴承连接 蚀刻液 损坏率 载片盒 减小 片盒 取放 通孔 外壁 运转 生产 | ||
本实用新型公开了一种半导体引线框架蚀刻设备,包括:底座、安装在底座上的蚀刻箱、固定在地面上的双侧支架、设在双侧支架上的取放机构、控制所述蚀刻箱及取放机构运转的控制系统;所述蚀刻箱内盛满蚀刻液;所述取放机构包括:设置在所述双侧支架上的滑轨、滑动设置在滑轨上的滑块、固定在双侧支架上且与滑块连接的电动液压杆、轴承连接在滑块上的移动杆、设在移动杆上且可翻转的载片盒;所述载片盒外壁上开有通孔,通过采用该蚀刻设备,为引线框架蚀刻中的取放提供了方便,提高了引线框架的蚀刻效率,减小了引线框架蚀刻的损坏率,提高生产效益。
技术领域
本实用新型涉及半导体引线框架工技术领域,特别是涉及一种半导体引线框架蚀刻设备。
背景技术
半导体引线框架作为集成电路芯片载体,是一种借助于键合材料实现芯片内部的电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,随着电子元气件向高密度化、小型化和大功率化方向的发展,对引线框架材料的导电导热架强度等要求越来越高,综合性优异的铜合金成为集成电路引线框架的主导材料,并且向着细间距产品发展,因此,对引线框架的制作工艺和设备要求就越来越多样化。
引线框架的制作工艺有冲压法和蚀刻法两种工艺,冲压法一般采用高精度带材经自动化程度很高的告诉冲床冲制而成,适宜批量生产,但由于采用物理冲压成型,制成的引线精细程度不高,对于小批量、多品种、多引线、小间距的引线框架制作则不适宜采用冲压法,需要采用蚀刻法制作,蚀刻法加工时无应力加工手段,是通过一种感光抗蚀剂将工件部分保护气,再用一种强氧化剂将其它部分蚀刻掉,最后得到需要的元件,蚀刻法加工中,包括丝网印刷、双面曝光显影、蚀刻等诸多工序,采用蚀刻法制作引线框架具有制作周期短、投资省、精细度高、一致性好的特点。
目前常采用的蚀刻设备有喷淋式蚀刻机,采用喷淋技术加大了被蚀刻金属板的有效面积和蚀刻均匀程度,但喷淋蚀刻存在喷淋位置控制不精,产品蚀刻中出现不均匀或表面不平整,生产中损耗较大,而采用现有中的浸润式蚀刻设备由于取放引线框架不方便,蚀刻效率低,蚀刻时间不能精确控制的问题。
实用新型内容
本发明要解决的技术问题是现有技术中的半导体引线框架蚀刻设备蚀刻质量不高,损耗较大,取放引线框架不方便,蚀刻效率低,蚀刻时间不能精确控制的问题,通过采用本实用新提供的半导体引线框架蚀刻设备,提高蚀刻质量的同时,方便了引线框架的取放,提高了蚀刻效率。
为实现上述目的,本实用新型提供一种半导体引线框架蚀刻设备,包括:底座、安装在底座上的蚀刻箱、固定在地面上的双侧支架、设在双侧支架上的取放机构、控制所述蚀刻箱及取放机构运转的控制系统;所述蚀刻箱内盛满蚀刻液;所述取放机构包括:设置在所述双侧支架上的滑轨、滑动设置在滑轨上的滑块、固定在双侧支架上且与滑块连接的电动液压杆、轴承连接在滑块上的移动杆、设在移动杆上且可翻转的载片盒;所述载片盒外壁上开有通孔。
进一步地,所述移动杆上固接有连接臂;所述载片盒的侧壁上轴承连接有转轴;所述连接臂转动连接在所述转轴的两端。
进一步地,所述载片盒至少有两个。
进一步地,所述蚀刻箱的侧壁上设有蚀刻液注入口和蚀刻液排出口。
进一步地,所述蚀刻液排出口上设有向外抽取蚀刻液的液泵和截流阀。
进一步地,所述蚀刻液注入口设有控制阀;所述控制阀电连接于所述控制系统。
进一步地,所述载片盒为透明有机玻璃盒。
进一步地,所述控制系统包括控制主机和显示操作屏
进一步地,所述蚀刻箱的侧壁上设有加热管和温度计;所述加热管和温度计均电连接于控制系统。
进一步地,所述电动液压杆包括:固定在所述支架上的电动机、驱动连接于所述电动机的液压缸、与所述液压缸活塞连接的拉杆;所述拉杆末端与所述滑块固接;所述电动机电连接于所述控制系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造