[实用新型]一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构

说明书

本申请涉及半导体制造领域，特别是一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构，包括芯片版图底版，芯片版图底板的上表面淀积有栅极跑道，芯片版图底版的上表面开设有多个第一圈栅极槽，每个第一圈栅极槽内部开设有第二圈栅极槽，每个第二圈栅极槽内部开设有第三圈栅极槽，相互套接的第一圈栅极槽、第二圈栅极槽和第三圈栅极槽形成一个周期性的同心椭圆结构。本实用新型可以有效增加器件的电子沟道密度，同时增加器件的浮空区域，优化载流子分布，进一步降低期间的导通压降，并通过调整第三圈栅极槽的所接电极，提高器件开关速度，降低开关损耗，增大器件可使用频率范围。同时可以通过在第三圈栅极槽上方开设发射极孔或者浮空，调整器件的电容比例。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，特别是一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构。

背景技术

现有技术为降低器件的导通压降，多采取载流子增强技术，即增加器件的浮空区域（无电子沟道区域）。其条形沟槽的版图布局如图1所示，器件浮空区域由沟槽O形圈围成。此布局沿AA’线的截面图如图2所示，即一条沟槽对应一条电子沟道。

现有器件结构为了提高载流子增强效果，往往会增加器件的浮空区域（无电子沟道区域）宽度，而过宽的器件的浮空区域，会占有器件芯片面积，降低沟槽数目，降低电子沟道数，使载流子增强技术带来的优化被折衷，甚至不明显，不利于进一步降低导通压降。

发明内容

为了克服现有技术中存在常规条形沟槽版图布局不足的问题，提供一种可以有效提高电子沟道密度，优化载流子分布，降低器件导通压降，同时通过调整电容比例，进一步降低关断损耗的版图结构。

为实现上述技术效果，本申请的技术方案如下：

一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构，其特征在于：包括芯片版图底版，所述芯片版图底板的上表面淀积有栅极跑道，所述芯片版图底版的上表面开设有多个第一圈栅极槽，每个所述第一圈栅极槽内部开设有第二圈栅极槽，每个所述第二圈栅极槽内部开设有第三圈栅极槽，相互套接的第一圈栅极槽、第二圈栅极槽和第三圈栅极槽形成一个周期性的同心椭圆结构。本申请提到的周期性具体表示在芯片底板上三圈沟槽以周期性的方式排列。

所述第三圈栅极槽为浮空结构。即第三圈栅极槽可以通过不与栅极相连。

所述第三圈栅极槽接发射极形成第三圈发射极槽或浮空槽。

所述栅极跑道汇总成为栅极。

所述第一圈栅极槽与第二圈栅极槽、第三圈栅极槽的宽度相等。

所述第一圈栅极槽与第二圈栅极槽之间、第二圈栅极槽与第三圈栅极槽之间为等间距设置。

所述栅极跑道为多晶硅或金属。

本申请的优点为：

本实用新型可以有效增加器件的电子沟道密度增加器件的浮空区域，优化载流子分布，进一步降低期间的导通压降，并通过调整第三圈栅极槽的所接电极，提高器件开关速度，降低开关损耗，增大器件可使用频率范围。同时可以通过在第三圈栅极槽上方开设发射极孔或者浮空，调整器件的电容比例。

附图说明

图1为传统条形沟槽版图结构。

图2为传统条形沟槽版图结构横截面示意图。

图3为本实用新型版图结构。

图4为本实用新型版图结构横截面示意图。

图5为本实用新型版图结构（第三圈栅极槽浮空或者接发射极）

附图中：1-芯片版图底版，2-栅极跑道，3-第一圈栅极槽，4-第二圈栅极槽，5-第三圈栅极槽，6-浮空槽。

具体实施方式