[实用新型]一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构有效
| 申请号： | 201822023721.0 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN209199937U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 孔梓玮;蒋兴莉;王思亮;胡强 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 苏丹 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极槽 芯片版图 电容 半导体器件 底版 版图结构 调整功率 上表面 浮空 载流子 半导体制造领域 同心椭圆结构 本实用新型 底板 导通压降 电子沟道 调整器件 开关损耗 器件开关 使用频率 发射极 接电极 淀积 套接 跑道 申请 优化 | ||
1.一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构，其特征在于：包括芯片版图底版（1），所述芯片版图底板的上表面淀积有栅极跑道（2），所述芯片版图底版（1）的上表面开设有多个第一圈栅极槽（3），每个所述第一圈栅极槽（3）内部开设有第二圈栅极槽（4），每个所述第二圈栅极槽（4）内部开设有第三圈栅极槽（5），相互套接的第一圈栅极槽（3）、第二圈栅极槽（4）和第三圈栅极槽（5）形成一个周期性的同心椭圆结构。
2.根据权利要求1所述的一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构，其特征在于：所述第三圈栅极槽（5）为浮空结构。
3.根据权利要求1所述的一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构，其特征在于：所述第三圈栅极槽（5）接发射极形成第三圈发射极槽或浮空槽（6）。
4.根据权利要求1所述的一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构，其特征在于：所述栅极跑道（2）汇总成为栅极。
5.根据权利要求1所述的一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构，其特征在于：所述第一圈栅极槽（3）与第二圈栅极槽（4）、第三圈栅极槽（5）的宽度相等。
6.根据权利要求5所述的一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构，其特征在于：所述第一圈栅极槽（3）与第二圈栅极槽（4）之间、第二圈栅极槽（4）与第三圈栅极槽（5）之间为等间距设置。
7.根据权利要求1所述的一种用于调整功率半导体器件电容比例的版图结构，其特征在于：所述栅极跑道（2）为多晶硅或金属。
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