[实用新型]天线封装结构有效
申请号: | 201822019596.6 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN209087816U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 陈彦亨;林正忠 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/58;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 天线封装 天线金属 天线结构 天线支撑 有效面积 电磁波 主体层 衰减 多层天线结构 本实用新型 重新布线层 堆叠设置 高效率 整合性 包覆 空腔 下层 上层 支撑 | ||
本实用新型提供一种天线封装结构,所述天线封装结构可形成堆叠设置的具有多层天线结构的天线封装,具有高效率、高整合性;于重新布线层的第二面上形成位于下层的第一天线结构及位于第一天线结构上的第二天线结构,且通过位于第一天线结构中的天线支撑盖形成包覆第一天线金属主体层的空腔,可减少第一天线金属主体层的电磁波的衰减和损耗,且通过天线支撑盖的支撑,在形成位于上层的第二天线金属层时,可实现不减少第二天线金属层的有效面积;因此,达到在不减少天线金属层的有效面积的前提下,减少天线封装结构中电磁波的衰减和损耗。
技术领域
本实用新型属于半导体封装技术领域,涉及一种天线封装结构。
背景技术
随着高科技电子产品的普及以及人们需求的增加,特别是为了配合移动的需求,大多高科技电子产品都增加了无线通讯的功能。
一般来说,现有的天线结构通常是将天线直接制作于电路板的表面,这种做法会让天线占据额外的电路板面积,整合性较差。对于各种高科技电子产品而言,若将天线直接制作于电路板的表面,将需要具有较大体积的电路板,从而使得高科技电子产品也占据较大的体积,这与人们对高科技电子产品的小型化、便捷式的需求相违背。
随着通信信息的快速发展,5G(5th Generation)即第五代移动通信,已成为人们研究的重点。在5G高频天线中,由于天线的电磁波频率非常高,通信波长变成毫米级(毫米波),天线尺寸也缩减到了几个毫米,高频的电磁波,传播衰减也较大,尤其在天线封装方面,由于天线封装材料会造成天线电磁波频率的衰减和损耗,因此天线封装材料的选择尤为重要。为了减少高频天线的电磁波的衰减和损耗,开发一种新型的天线封装结构,用以降低天线的电磁波的衰减和损耗尤为重要。
鉴于此,有必要设计一种新型的天线封装结构,用以减少天线在封装材料中电磁波的衰减和损耗。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种天线封装结构,用于解决现有技术中天线在封装材料中电磁波的衰减和损耗的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种天线封装结构,所述封装结构包括:
重新布线层,所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面;
第一金属连接柱,形成于所述重新布线层的第二面上与所述重新布线层电连接;
第一封装层,覆盖所述第一金属连接柱及所述重新布线层的第二面,且所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱;
第一天线金属层,形成于所述第一封装层上,所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电连接,所述第一天线金属层包括第一天线金属主体层;
天线支撑盖,所述天线支撑盖包含天线支撑盖底部、自所述天线支撑盖底部向外延伸形成的包围所述天线支撑盖底部边缘的天线支撑盖侧壁及由所述天线支撑盖底部与所述天线支撑盖侧壁形成的天线支撑盖腔体;所述天线支撑盖侧壁形成于所述第一天线金属层上,并通过所述天线支撑盖腔体形成包覆所述第一天线金属主体层的空腔;
第二金属连接柱,形成于所述第一天线金属层上,所述第二金属连接柱的顶面的水平面突出于所述空腔的顶面的水平面;
第二封装层,覆盖所述第二金属连接柱及所述第一天线金属层,且所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱;所述第二封装层包覆所述天线支撑盖侧壁;
第二天线金属层,形成于所述第一封装层表面,所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱电连接;
金属凸块,形成于所述重新布线层的第一面上;以及
半导体芯片,结合于所述重新布线层的第一面上。
可选的,所述重新布线层的第二面上包括N层天线结构,其中N≥3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司,未经中芯长电半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822019596.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种大功率插接式贴片封装三极管
- 下一篇:微波芯片封装结构