[实用新型]半导体设备有效
| 申请号： | 201821903886.0 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN209104123U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 半导体设备 支撑座 腔室 室内 进气口 本实用新型 第二排气口 第一排气口 加热装置 制程 进出口 供应惰性气体 惰性气体源 热处理 颗粒杂质 器件性能 设备运转 良率 加热 氧气 支撑 生产 | ||
1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
腔室，所述腔室上设置有晶圆进出口、进气口、第一排气口及第二排气口，所述进气口位于所述腔室的底部且连接至惰性气体源；所述第一排气口位于与所述晶圆进出口相对的一侧；所述第二排气口位于所述晶圆进出口的上方；
支撑座，位于所述腔室内，用于支撑晶圆；
加热装置，位于所述腔室内，用于对位于所述支撑座上的晶圆进行加热。
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述晶圆进出口位于所述腔室的侧壁上，所述第二排气口位于所述腔室的顶部，且与所述晶圆进出口所在的侧壁相邻。
3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述腔室还包括氧气传感器，所述氧气传感器设置于所述第一排气口的排气通道上。
4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述腔室还包括温控装置，位于所述腔室内，所述温控装置与所述加热装置相连接，用于根据所述腔室内的温度控制所述加热装置的打开或关闭。
5.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述惰性气体选自氮气、氩气、氦气和氖气中的一种或多种，且所述惰性气体流量介于50～200slm之间。
6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体设备，其特征在于：所述加热装置包括若干个灯管，所述加热装置位于所述支撑座的上方；所述半导体设备还包括反射板，位于所述腔室内且位于所述支撑座的下方，所述反射板与位于所述支撑座上的晶圆的间距介于0.5～1.5mm之间。
7.根据权利要求1至5任一项所述的半导体设备，其特征在于：所述加热装置包括若干个灯管，所述加热装置位于所述支撑座的下方。
8.根据权利要求6所述的半导体设备，其特征在于：所述若干个灯管呈蜂窝式分布。
9.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于：所述若干个灯管呈蜂窝式分布。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
