[实用新型]一种高集成度导航信号处理SIP装置有效
| 申请号： | 201821830942.2 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN208847195U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 杨兵;杨芳;王良江;李蕾蕾 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G01C21/00 | 分类号： | G01C21/00;G05B19/042 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 转接基板 芯片 导航信号处理 电压转换芯片 数据处理装置 通讯接口装置 本实用新型 高集成度 接口芯片 陶瓷管壳 程序存储芯片 数据存储芯片 信号处理核心 基板上表面 基板下表面 接口处理 裸芯片 上表面 双腔体 下表面 叠层 封装 一体化 | ||
1.一种高集成度导航信号处理SIP装置，其特征在于，包括数据处理装置、通讯接口装置、硅转接基板和HTCC陶瓷管壳，数据处理装置包括信号处理核心芯片DSP、接口处理芯片FPGA、数据存储芯片SRAM和程序存储芯片FLASH，通讯接口装置包括PROM芯片、电压转换芯片和接口芯片，信号处理核心芯片DSP、数据存储芯片SRAM和程序存储芯片FLASH连接于硅转接基板的上表面上且整体密封设于HTCC陶瓷管壳的上表面腔体内，接口处理芯片FPGA连接于硅转接基板的下表面上且密封设于HTCC陶瓷管壳的上表面腔体内，硅转接基板连接于HTCC陶瓷管壳的HTCC基板上表面上，PROM芯片、电压转换芯片和接口芯片连接于HTCC陶瓷管壳的HTCC基板下表面上且密封设于HTCC陶瓷管壳的下表面腔体内。
2.根据权利要求1所述的高集成度导航信号处理SIP装置，其特征在于，信号处理核心芯片DSP用于核心算法处理接收到的信号数据，数据预处理采用接口处理芯FPGA实现，信号处理核心芯片DSP的程序存储采用Flash实现，接口处理芯FPGA的程序存储采用PROM芯片实现，组合导航算法处理中间数据采用数据存储芯片SRAM实现，接口芯片采用RS485和RS422实现通讯接口与上位机通讯和信息交换。
3.根据权利要求1所述的高集成度导航信号处理SIP装置，其特征在于，信号处理核心芯片DSP、数据存储芯片SRAM和程序存储芯片FLASH通过键合方式连接于硅转接基板的上表面上，接口处理芯片FPGA通过键合方式连接于硅转接基板的下表面上。
4.根据权利要求1所述的高集成度导航信号处理SIP装置，其特征在于，PROM芯片、电压转换芯片和接口芯片通过键合方式连接于HTCC陶瓷管壳的HTCC基板下表面上。
5.根据权利要求1所述的高集成度导航信号处理SIP装置，其特征在于，HTCC基板采用高温陶瓷基板，HTCC基板的上表面和下表面上形成安装腔体，安装腔体上镀有布线。
6.根据权利要求1所述的高集成度导航信号处理SIP装置，其特征在于，硅转接基板采用3.0um工艺2层金属结构。
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