[实用新型]晶圆清洗设备

说明书

该实用新型涉及一种晶圆清洗设备，包括：紫外光源，安装至清洗腔，朝向待清洗晶圆设置，用于朝向待清洗晶圆出射紫外光，以活化待清洗晶圆表面；所述清洗腔用于放置待清洗晶圆，所述紫外光源出射的紫外光包括C波段和V波段中的至少一个波段。本实用新型中的晶圆清洗设备具有紫外光源，紫外光源提供的紫外光照射到待清洗晶圆表面时，会活化晶圆表面，使晶圆表面的杂质更容易被清除掉，加强所述晶圆清洗设备的清洗效果。

技术领域

本实用新型涉及晶圆生产制造加工设备领域，具体涉及一种晶圆清洗设备。

背景技术

在晶圆的生产制造过程中，经常会面临将两片晶圆键合到一起的状况。如在BSI和CMOS的生产制造过程中，需要将两片晶圆键合到一起。但是，晶圆键合过程中经常会由于键合的晶圆表面的气泡而影响到晶圆键合的良率，如何提高晶圆键合的良率成为本领域亟待解决的问题。

现有技术中，通常通过清洗晶圆的键合表面来阻止气泡的产生。这是因为形成气泡的主要原因是晶圆键合表面清洗的不干净，含有颗粒物等。现有技术中，通常会使用晶圆清洗设备来清洗晶圆表面，使所述晶圆表面产生更多断裂的化学键，增加晶圆表面的-OH的数量，提高晶圆的表面张力，从而使所述晶圆的表面能够获得较高的表面能，优化活化效果，从而优化清洗效果。但现有技术中的晶圆清洗设备的清洗效果有限，经所述晶圆清洗设备清洁后的晶圆表面仍或多或少的存在颗粒物等，影响接下来对晶圆的处理。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆清洗设备，能够提高等离子的清洗效果。

为了解决上述技术问题，本实用新型中提供了一种晶圆清洗设备，包括：紫外光源，安装至清洗腔，朝向待清洗晶圆设置，用于朝向待清洗晶圆出射紫外光，以活化待清洗晶圆表面；所述清洗腔用于放置待清洗晶圆，所述紫外光源出射的紫外光包括C波段和V波段中的至少一个波段。

可选的，所述紫外光源出射的紫外光包括波长为185nm的紫外光，以及波长为254nm的紫外光中的至少一种。

可选的，所述紫外光源出射的紫外光由低压汞灯提供。

可选的，所述低压汞灯设置在所述清洗腔的腔门上，朝向所述清洗腔内部设置。

可选的，所述腔门为圆形腔门，所述低压汞灯重合于所述圆形腔门的半径。

可选的，所述腔门表面的中心位置设置有等离子源，所述紫外光源绕所述等离子源设置。

可选的，所述低压汞灯设置于腔门与一防护罩之间。

可选的，所述防护罩的形状与所述低压汞灯绕所述等离子源的排布的状态相适应，将所述等离子源和所述紫外光源分隔开来。

可选的，所述防护罩为石英防护罩。

本实用新型中的晶圆清洗设备具有紫外光源，紫外光源提供的紫外光照射到待清洗晶圆表面时，会活化晶圆表面，使晶圆表面的杂质更容易被清除掉，加强所述晶圆清洗设备的清洗效果。

附图说明

图1为本实用新型的一种具体实施方式中的晶圆清洗设备的结构示意图。

图2为本实用新型的一种具体实施方式中的晶圆清洗设备的腔门的剖面示意图。

图3为本实用新型的一种具体实施方式中的紫外光对晶圆表面的C和H元素的活化作用示意图。

图4为本实用新型的一种具体实施方式中的紫外光对晶圆表面的C和H元素的活化作用示意图。

图5为本实用新型的一种具体实施方式中的紫外光对晶圆表面的Si、H和O元素的活化作用示意图。

图6为本实用新型的一种具体实施方式中的紫外光对晶圆表面的Si、H和O元素的活化作用示意图。