[实用新型]低温多晶硅层及薄膜晶体管

说明书

本揭示提供了低温多晶硅层及薄膜晶体管。低温多晶硅层包括基板、至少一缓冲层以及多晶硅层。至少一缓冲层设置在基板上。多晶硅层设置在至少一缓冲层上。多晶硅层包括沟道区域、设置在沟道区域的两侧的两个低掺杂区域、设置在低掺杂区域的外侧的两个高掺杂区域。沟道区域的边缘及至少部分低掺杂区域的厚度小于多晶硅层的其他位置的厚度。本揭示能减少低温多晶硅层对光子的吸收及降低低温多晶硅层的光生漏电流。

【技术领域】

本揭示涉及显示技术领域，特别涉及一种低温多晶硅层及薄膜晶体管。

【背景技术】

低温多晶硅(low temperature poly silicon,LTPS)技术具有高载流子迁移率，被广泛用于具有高分辨率的中小尺寸的薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor-liquid crystal display,TFT LCD)和有源矩阵有机发光二极体(active-matrix organiclight emitting diode,AMOLED)面板的制作，因而具有广阔的应用前景。

在传统的低温多晶硅技术中，薄膜晶体管通常包括顶栅(top gate)结构及遮光层(light shield layer，LS)，其中遮光层的制备需要增加一道遮光层光罩的制程，因此薄膜晶体管阵列基板制作所需的光罩数量更多及产品制作周期更长。

在另一传统的低温多晶硅技术中，薄膜晶体管的沟道容易引起光生漏电流，过大的漏电流将显着影响显示器的光学显示效果，如串扰(crosstalk)、闪烁(flicker)、对比度降低等。

故，有需要提供一种低温多晶硅层及薄膜晶体管，以解决现有技术存在的问题。

【实用新型内容】

为解决上述技术问题，本揭示的一目的在于提供低温多晶硅层及薄膜晶体管，其能减少低温多晶硅层对光子的吸收及降低低温多晶硅层的光生漏电流。

为达成上述目的，本揭示提供低温多晶硅层，包括基板、至少一缓冲层以及多晶硅层。所述至少一缓冲层设置在所述基板上。所述多晶硅层设置在所述至少一缓冲层上。所述多晶硅层包括沟道区域、设置在所述沟道区域的两侧的两个低掺杂区域以及设置在所述低掺杂区域的外侧的两个高掺杂区域。所述沟道区域的边缘及至少部分所述低掺杂区域的厚度小于所述多晶硅层的其他位置的厚度。

于本揭示其中的一实施例中，所述低掺杂区域是N低掺杂区域，所述高掺杂区域是N高掺杂区域。

于本揭示其中的一实施例中，所述多晶硅层的所述沟道区域具有不同的厚度，所述多晶硅层的所述沟道区域的所述边缘及至少部分所述低掺杂区域的所述厚度小于所述多晶硅层的所述沟道区域的其他位置的厚度。

于本揭示其中的一实施例中，所述多晶硅层的所述高掺杂区域具有不同的厚度，所述多晶硅层的所述高掺杂区域的边缘接触所述低掺杂区域且所述高掺杂区域的所述边缘的厚度等于所述多晶硅层的所述沟道区域的所述边缘及至少部分所述低掺杂区域的所述厚度，以及所述高掺杂区域的其他位置的厚度等于所述多晶硅层的所述沟道区域的其他位置的厚度。

本揭示还提供薄膜晶体管，包括前述的低温多晶硅层及设置在所述低温多晶硅层上的栅绝缘层、栅电极、层间介电绝缘层、两个过孔、源电极和漏电极。所述过孔贯穿所述栅绝缘层和所述层间介电绝缘层，所述源电极和所述漏电极通过对应的过孔与所述低温多晶硅层的两端接触。

于本揭示其中的一实施例中，所述栅电极与所述多晶硅层的所述沟道区域的所述边缘的距离小于所述栅电极与所述多晶硅层的所述沟道区域的其他位置的距离。

于本揭示其中的一实施例中，所述栅电极与所述多晶硅层的至少部分所述低掺杂区域的距离小于所述栅电极与所述多晶硅层的所述沟道区域的所述其他位置的距离。