[实用新型]低压化学气相沉积设备

权利要求书

1.一种低压化学气相沉积设备，用于沉积多晶硅，其特征在于，包括：底座、外管以及内管，

所述外管设置在所述底座上，

所述内管设置于所述外管的内部且用于提供沉积空间，

在所述外管的内壁上形成有缓冲层。

2.根据权利要求1所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述缓冲层的线性热膨胀系数大于所述外管的线性热膨胀系数，并且小于在沉积过程中形成于所述缓冲层的表面的多晶硅层的线性热膨胀系数。

3.根据权利要求1所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述缓冲层形成为3层结构，包括：第一子缓冲层、第二子缓冲层和第三子缓冲层，且相邻两层的线性热膨胀系数均不同。

4.根据权利要求3所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述第三子缓冲层紧贴所述外管的内壁设置，且所述第三子缓冲层的线性热膨胀系数大于所述第二子缓冲层的线性热膨胀系数。

5.根据权利要求4所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述第二子缓冲层紧贴所述第三子缓冲层的表面设置，所述第二子缓冲层的线性热膨胀系数小于所述第一子缓冲层的线性热膨胀系数。

6.根据权利要求5所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述第二子缓冲层的硬度大于所述第一子缓冲层、第三子缓冲层的硬度。

7.根据权利要求3所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一子缓冲层形成为较所述第二、第三子缓冲层更为远离所述外管的内壁，所述第一子缓冲层与多晶硅层之间连接时的范德华力大于所述外管与多晶硅层之间连接时的范德华力。

8.根据权利要求3-7中的任意一项所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一子缓冲层为二氧化硅膜，且所述第一子缓冲层的厚度为100埃～500埃。

9.根据权利要求3-7中的任意一项所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述第二子缓冲层为氮化硅膜，且所述第二子缓冲层的厚度为100埃～500埃。

10.根据权利要求3-7中的任意一项所述的低压化学气相沉积设备，其特征在于，所述第三子缓冲层为二氧化硅膜，且所述第三子缓冲层的厚度为100埃～500埃。