[实用新型]差压传感器的封装结构有效

专利信息
申请号: 201821470244.6 申请日: 2018-09-10
公开(公告)号: CN208672219U 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 于成奇;高洪连;盛云 申请(专利权)人: 苏州纳芯微电子股份有限公司
主分类号: G01L19/14 分类号: G01L19/14;B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨金
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 封装壳体 敏感元件 进压口 封装结构 调理 芯片 金属引线框架 差压传感器 参考压力 键合引线 胶水 盖板 异物 本实用新型 水汽 测试腔 胶粘接 灌封 软态 弯道 粘接 平行 互联 体内
【说明书】:

实用新型公开了一种新型的差压传感器的封装结构,包括调理芯片、敏感元件、金属引线框架和封装壳体,还包括处于非同一平行面上的参考压力进压口和待测压力进压口以及设置在封装壳体上的圆柱;调理芯片和敏感元件通过软态胶粘接固定在封装壳体上后分别通过键合引线实现调理芯片、敏感元件以及金属引线框架的信号互联;然后注入灌封胶水对内部的MEMS压力传感器芯片、ASIC芯片及键合引线做保护;封装壳体的底部通过盖板胶水粘接有盖板。该封装结构中,参考压力进压口通过弯道设计,避免了水汽灰尘及其他的异物进入;待测压力进压口避免了异物直接进入到器件的测试腔体内,有效的保护了敏感元件等内部元素。

技术领域

本实用新型涉及一种差压传感器的封装结构,特别涉及一种利用MEMS压力芯片对流体压力进行测量的封装结构,属于传感器的封装技术领域。

背景技术

压力传感器的封装结构是实现压力传感器压力传递,电信号传递,应力缓冲等的关键技术。目前应用中,由于封装结构的限制,很多压力传感器的封装结构无法适应在一些特殊环境,比如高湿环境下;以及无法适合后端制造的涂胶涂漆等工艺。传统的塑料封装结构将MEMS贴在外壳的一侧,参考进压口在底面上,在实际组装应用的时候为了保护引脚而涂敷灌封胶或者三防漆等会将参考进压口堵住而致使传感器失效,并且直接从MEMS背面进压很容易造成组装制造和实际使用过程中异物进入MEMS背面膜上,造成一系列的误差和失效。

实用新型内容

本实用新型的目的在于,提供一种差压传感器的封装结构,其巧妙的流道结构设计有利于保护器件在制造和使用过程中不被损坏,从而有利于保障产品性能的稳定性。

为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案在于,一种差压传感器的封装结构,包括调理芯片、敏感元件、金属引线框架和封装壳体,所述调理芯片和敏感元件分别通过软态胶固定在封装壳体内,金属引线框架固定并部分裸露在封装壳体上,

—还包括处于非同一平行面上的参考压力进压口和待测压力进压口以及设置在封装壳体上的圆柱;所述待测压力进压口设置在圆柱的顶端中心上并向下延伸至圆柱内部形成待测压力进压流道;所述参考压力进压口设置在封装壳体的表面或者设置在封装壳体上方且不接触封装壳体;从所述参考压力进压口延伸至封装壳体内部形成参考压力进压口流道;

—所述调理芯片和敏感元件通过软态胶粘接固定在分装壳体上后分别通过键合引线实现调理芯片、敏感元件以及金属引线框架的信号互联;所述调理芯片、敏感元件和键合引线连接好后注入灌封胶水对内部的MEMS压力传感器芯片、ASIC芯片及键合引线做保护;

—所述封装壳体的底部通过盖板胶水粘接有盖板。

作为优选,所述调理芯片为ASIC芯片,其通过ASIC晶固胶固定在封装壳体的内部端面;所述敏感元件为MEMS压力传感器芯片,其通过MEMS晶固胶固定在封装壳体的内端面,并与参考压力进压口流道接触。

作为优选,所述待测压力进压流道内设置有错位结构,可以有效防止制造和使用过程中异物直接落入传感器内部,造成器件输出异常或失效;所述参考压力进压口流道的外端口处设置有倒角开口,当然也可以为其他凹口类结构,设置倒角开口主要是用于挡住竖直方向的流体等进入或堵住参考压力进压口,影响参考压力的进入。

作为优选,所述封装壳体内还设置有用于防止灌封胶水上爬的挡胶台阶,且所述挡胶台阶位于灌封胶水上方,这样设置的作用是:用于灌胶水的时候根据胶水本身的浸润性控制灌封胶水上爬高度,避免了胶水过多溢出到待测压力进压口中。

所述封装壳体内还设置有挡胶槽,所述盖板盖封于所述挡胶槽上,且挡胶槽位于盖板底面的四周,用于阻挡盖板胶水流淌到芯片区域或流入到待测压力进压口中。

作为优选,所述参考压力进压口为一凸出在封装壳体上的结构,参考压力进压口和待测压力进压口都位于外壳的顶面上方且不接近顶面。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州纳芯微电子股份有限公司,未经苏州纳芯微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821470244.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top