[实用新型]一种晶片载具有效
申请号: | 201821449100.2 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN208781822U | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 郭海峰;申兵兵 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;吴欢燕 |
地址: | 102209 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 料盘 叠层 本实用新型 晶片边缘 定位件 晶片 薄膜 刻蚀均匀性 下层 载具 种晶 背面 传送 全自动化生产 层叠设置 晶片传输 晶片传送 晶片滑动 生产效率 正面凹槽 刻蚀机 内叠层 槽式 产能 刻蚀 凸起 压覆 压住 手臂 漂浮 上层 | ||
本实用新型涉及晶片传输技术领域,尤其涉及一种晶片载具,包括层叠设置的料盘,料盘的正面设有用于放置叠层晶片的凹槽,料盘的背面设有定位件,上层料盘的定位件压覆于下层料盘中叠层晶片边缘的薄膜上。本实用新型料盘的正面具有凹槽,此凹槽用来放置叠层晶片,在料盘背面与正面凹槽内的叠层晶片对应的位置设有凸起的定位件,用于压住下层料盘凹槽内叠层晶片边缘的薄膜,防止在传送时料盘凹槽内的叠层晶片滑动,同时防止刻蚀时叠层晶片边缘的薄膜在溶液里漂浮而影响刻蚀均匀性,增加了叠层晶片传送稳定性和刻蚀均匀性。本实用新型适用于槽式刻蚀机,采用手臂进行传送。本实用新型可适用于全自动化生产,提高产能和生产效率。
技术领域
本实用新型涉及晶片传输领域,尤其涉及一种晶片载具。
背景技术
目前,Laminated Wafer(叠层晶片,是指带薄膜的晶片,且薄膜尺寸大于晶片尺寸,比如CN101790794A公开了制造薄膜Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池的方法,并具体公开了在薄膜III-V族化合物太阳能电池从基底分离之前,向薄膜III-V族化合物太阳能电池表面应用背衬层,设置背衬层后的薄膜III-V族化合物太阳能电池即可称为叠层晶片)湿法刻蚀大多采用链式刻蚀机,链式刻蚀机大多采用滚轮或者是滚轮加导向轮的方式进行传送,但砷化镓薄膜太阳能的Laminated Wafer的薄膜比晶片尺寸大,四边会露出5-15mm左右的薄膜,且薄膜非常柔软,所以无法增加导向轮或归整装置,从而造成传送不稳定,发生偏移、卡片和叠片的现象;若采用槽式刻蚀机,则需要一种特殊的载具来承载Laminated Wafer。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
本实用新型要解决的技术问题是解决现有的晶片载具无法满足采用槽式刻蚀机对叠层晶片进行刻蚀的问题。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种晶片载具,包括层叠设置的料盘,所述料盘的正面设有用于放置叠层晶片的凹槽,所述料盘的背面设有定位件,上层所述料盘的所述定位件压覆于下层所述料盘中所述叠层晶片边缘的薄膜上。
其中,相邻的两层所述料盘之间具有用于固定上层所述料盘与下层所述料盘相对位置的固定部。
其中,所述固定部包括固定轴和与所述固定轴配合的沉孔。
其中,所述固定轴设置于所述料盘的正面,所述沉孔设置于所述料盘的背面,下层所述料盘的所述固定轴可插入上层所述料盘的所述沉孔中。
其中,所述固定轴的长度大于所述沉孔的深度。
其中,所述定位件由弹性材料支制成。
其中,所述定位件的外部包裹弹性材料。
其中,所述定位件为定位销。
其中,所述凹槽的形状为矩形,所述定位销对应所述凹槽的四个角设置。
(三)有益效果
本实用新型的上述技术方案具有如下优点:本实用新型晶片载具包括料盘,料盘的正面具有凹槽,此凹槽用来放置叠层晶片,在料盘背面与正面凹槽内的叠层晶片对应的位置设有凸起的定位件,用于压住下层料盘凹槽内叠层晶片边缘的薄膜,防止在传送时料盘凹槽内的叠层晶片滑动,同时防止刻蚀时薄膜在溶液里漂浮而影响刻蚀均匀性,增加了叠层晶片传送稳定性和刻蚀均匀性。本实用新型的晶片载具适用于槽式刻蚀机,采用手臂进行传送。本实用新型的晶片载具可适用于全自动化生产,通过料盘装载的方式来进行传送,实现了大批量叠层晶片的传送和刻蚀,提高产能和生产效率。
除了上面所描述的本实用新型解决的技术问题、构成的技术方案的技术特征以及有这些技术方案的技术特征所带来的优点之外,本实用新型的其他技术特征及这些技术特征带来的优点,将结合附图作出进一步说明。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造