[实用新型]晶圆处理装置有效
申请号: | 201821346346.7 | 申请日: | 2018-08-20 |
公开(公告)号: | CN208674080U | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 喻泽锋;周冬成;吴宗祐;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;董琳 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空管路 晶圆处理装置 抽真空单元 处理腔室 波纹管 真空泵 气体浓度检测仪 本实用新型 处理装置 准确检测 支管路 检测 漏气 漏检 微漏 种晶 连通 | ||
本实用新型涉及一种晶圆处理装置,包括:处理腔室;抽真空单元,所述抽真空单元包括真空泵以及连接所述真空泵与处理腔室的真空管路,所述真空管路包括至少一段波纹管;气体浓度检测仪,用于检测特定气体的浓度,通过一支管路连通至所述真空管路,用于对所述真空管路内的特定气体浓度进行检测。上述晶圆处理装置能够准确检测出真空管路是否漏气,避免波纹管微漏被漏检。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置。
背景技术
在半导体机台后段真空管路部分位置会使用波纹管,波纹管有时会发生微漏的现象。当真空阀打开抽低压或者工艺反应时,波纹管在吸力下会发生形变而产生微漏。机台真空管路泄露空气进入反应腔会导致产品异常甚至报废。
现有技术在进行反应腔侧漏时,需要关闭真空阀,再进行反应腔测漏。此时由于没有吸力的作用,波纹管不会发生形变而使得微漏消失,压力计则无法测出漏率异常。
因此,如何准确检测波纹管的微漏是亟待解决的问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种晶圆处理装置,能够准确测量真空管路的微漏。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种晶圆处理装置,包括:处理腔室;抽真空单元,所述抽真空单元包括真空泵以及连接所述真空泵与处理腔室的真空管路,所述真空管路包括至少一段波纹管;气体浓度检测仪,用于检测特定气体的浓度,通过一支管路连通至所述真空管路,用于对所述真空管路内的特定气体浓度进行检测。
可选的,还包括:控制单元,连接至所述处理腔室,用于控制所述处理腔室内的处理工艺;所述气体浓度检测仪还与所述控制单元之间具有通信连接,用于向所述控制单元发送特定气体浓度的检测结果。
可选的,当所述气体浓度检测仪检测到的特定气体浓度含量超出阈值时,所述控制单元用于停止所述处理腔室内的处理工艺。
可选的,所述真空管路上设置有真空阀,用于控制所述真空管路的通断。
可选的,所述真空管路上还设置有压力计。
可选的,所述支管路与真空管路的连接处位于所述波纹管与真空泵之间。
可选的,所述连接处与波纹管之间的距离小于所述连接处与真空泵之间的距离。
可选的,所述气体浓度检测仪为氧气浓度检测仪。
本实用新型的晶圆处理装置包括抽真空单元和与真空管路连接的气体浓度检测仪,在抽真空单元进行抽真空的过程中,通过检测真空管路内特定气体的浓度判断晶圆处理装置是否漏气,避免波纹管微漏被漏检的问题。
附图说明
图1为本实用新型一具体实施方式的晶圆处理装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的晶圆处理装置的具体实施方式做详细说明。
请参考图1,为本实用新型一具体实施方式的晶圆处理装置的结构示意图。
所述晶圆处理装置包括:处理腔室110、抽真空单元120以及气体浓度检测仪130。
所述处理腔室110用于对晶圆进行半导体工艺处理,例如,沉积工艺、刻蚀工艺、退火工艺等。在一个具体实施方式中,所述晶圆处理装置为炉管装置,所述处理腔室110为炉管腔室,晶圆通过晶舟送入所述处理腔室110内进行半导体工艺处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造