[实用新型]一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架有效

专利信息
申请号: 201821331540.8 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN208738200U 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 徐启高;贺贤汉;赵剑锋;洪漪 申请(专利权)人: 杭州中芯晶圆半导体股份有限公司;上海申和热磁电子有限公司
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;H01L31/18
代理公司: 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 代理人: 顾兰芳
地址: 310000 浙江省杭州市萧山区*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 过滤器 硅片 置物架 矩形框架 硅片表面 出风口 半导体加工技术 底板 本实用新型 硅片输送 后端开口 颗粒吸附 纵向排布 进风口 右侧板 左侧板 开口 洁净 增设
【说明书】:

本实用新型涉及半导体加工技术领域。一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架,包括一硅片置物架,硅片置物架是PVC制成的硅片置物架;硅片置物架包括顶板、底板、左侧板以及右侧板围成前后两端均开口的矩形框架;硅片置物架还包括至少三个纵向排布的层板,层板的左右两端与矩形框架相连;还包括一FFU过滤器,FFU过滤器设置在矩形框架的后方,且FFU过滤器的出风口与矩形框架的后端开口对接,FFU过滤器的进风口位于FFU过滤器的后侧,FFU过滤器的出风口朝向层板。本专利通过增设有FFU过滤器,便于持续向层板上放置的硅片输送洁净的空气,避免环境中的颗粒吸附在硅片的表面,通过FFU过滤器实现对硅片表面的颗粒的吹离。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工技术领域,具体涉及硅片置物架。

背景技术

由于在半导体工业所制作的集成电路元器件尺寸越来越小,在一块小心的芯片上整合了许许多多的元器件,因此在整个制造过程中就必须防止外界杂质的污染,特别是加工环境中处处存在的尘埃粒子、金属离子等污染源。这些污染源会造成元器件性能的劣化及产品成品率和可靠性的降低,所以在半导体加工过程中如何将环境颗粒带来的影响降到最低至关重要。

半导体晶圆加工都是在无尘室内完成,在GB50073-2001里明确了各个等级中对应不同粒径的颗粒数量。洗净工序车间环境洁净度等级为2,该等级环境里0.1um粒径的颗粒数量≤100颗;0.2um粒径的颗粒数量≤24颗;0.3um粒径的颗粒数量≤10颗;0.5um粒径的颗粒数量≤4颗,通常硅片表面对颗粒的管控要求最大的为0.2um粒径的颗粒数量≤10颗。如将硅片直接裸露放置在普通的片架上,环境中的颗粒会吸附在硅片表面,导致洗净后的硅片表面颗粒增加。

无尘室对尘埃粒子的控制,是通过FFU过滤器对进入无尘室内的空气进行过滤才得以实现。在环境洁净度为2级的环境中,如将硅片直接裸露存放在普通货架上,受整体环境洁净度等级的影响,硅片表面的颗粒随着时间的推移会增加。

实用新型内容

针对现有技术存在的问题,本实用新型提供一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架,以解决上述至少一个技术问题。

本实用新型的技术方案是:一种降低硅片表面降尘量的硅片置物架,包括一硅片置物架,其特征在于,所述硅片置物架是PVC制成的硅片置物架;

所述硅片置物架包括顶板、底板、左侧板以及右侧板围成前后两端均开口的矩形框架;

所述硅片置物架还包括至少三个纵向排布的层板,所述层板的左右两端与所述矩形框架相连;

还包括一FFU过滤器,所述FFU过滤器设置在所述矩形框架的后方,且所述FFU过滤器的出风口与所述矩形框架的后端开口对接,所述FFU过滤器的进风口位于所述FFU过滤器的后侧,所述FFU过滤器的出风口朝向所述层板。

本专利的创新点在于:(1)通过增设有FFU过滤器,便于持续向层板上放置的硅片输送洁净的空气,避免环境中的颗粒吸附在硅片的表面,通过FFU过滤器实现对硅片表面的颗粒的吹离。选取洁净度等级为1级的FFU过滤器,确保确保货架内的小环境洁净度达到1级,即0.1um/≤10颗;0.2um/≤2颗。且经过测试,将硅片放置在硅片置物架上后,硅片上表面0.1um粒径的颗粒数量小于10颗,实现了硅片置物架上洁净度的有效控制,硅片置物架的空间内的洁净度控制在了1级。

(2)本专利通过将传统的不锈钢置物架改良为PVC制成的置物架,避免了不锈钢材料对硅片的磨损,保护硅片,防止硅片碰触到置物架导致的隐裂或者破损,影响后序使用。

进一步优选为,所述底板上设有向后延伸的延伸部,以所述延伸部作为用于放置所述FFU过滤器的置物台,所述FFU过滤器安装在所述延伸部上方。

便于保证FFU过滤器的安装固定效果。

进一步优选为,所述层板的上表面包括一齿状结构的置物面;

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