[实用新型]输送系统和基板处理系统有效
| 申请号: | 201821205607.3 | 申请日: | 2018-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN208796976U | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
| 发明(设计)人: | 井富隼人;杉本贵史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 被处理体 输送系统 支承部 基板处理系统 线段 连结 交接 本实用新型 背面接触 输送源 位置处 载置台 | ||
本实用新型提供一种可使输送精度提高的输送系统和基板处理系统。一实施方式的输送系统是一种被处理体的输送系统,其具备用于保持并输送被处理体的叉以及作为被处理体的输送目的地或输送源的载置台,所述叉具有与所述被处理体的背面接触来保持所述被处理体的多个保持部,所述载置台具有与所述叉之间进行所述被处理体的交接的多个支承部,对于所述多个保持部与所述多个支承部的相对位置,在将所述被处理体在所述叉与所述载置台之间进行交接的位置处,将所述多个保持部中的一个保持部和与所述一个保持部相邻的两个支承部连结的两个线段所成的角度是将所述一个保持部和与所述一个保持部相邻的两个保持部连结的两个线段所成的角度以上。
技术领域
本实用新型涉及一种输送系统和基板处理系统。
背景技术
公知有具备在多个模块间进行晶圆的输送的输送机构的基板处理系统。在基板处理系统中,输送机构向各模块内输入晶圆,将晶圆向从配置到各模块内的载置台突出的升降销交接。输送机构具有:臂,其可回转和伸缩;叉,其设置于臂的顶端,用于保持晶圆,通过臂回转和伸缩,在多个模块间进行晶圆的输送。
若利用这样的输送机构以高速输送晶圆,则存在由于停止时的冲击而产生晶圆的错位的情况。因此,以往,为了防止错位,使用在叉的上表面设置有与晶圆的背面接触来保持晶圆的垫的输送机构(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-99542号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
然而,在上述的输送机构中,存在垫固着于晶圆的背面的情况。若垫固着于晶圆的背面,则存在如下情况:在将晶圆向从各模块的载置台突出的升降销交接之际,晶圆在升降销的上振动而产生错位,输送精度降低。
因此,鉴于上述问题,目的在于提供一种可使输送精度提高的输送系统。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的,本实用新型的第一方式的输送系统是一种被处理体的输送系统,其具备保持并输送被处理体的叉以及作为被处理体的输送目的地或输送源的载置台,其中,所述叉具有与所述被处理体的背面接触来保持所述被处理体的多个保持部,所述载置台具有与所述叉之间进行所述被处理体的交接的多个支承部,对于所述多个保持部与所述多个支承部的相对位置,在将所述被处理体在所述叉与所述载置台之间进行交接的位置处,将所述多个保持部中的一个保持部和与所述一个保持部相邻的两个支承部连结的两个线段所成的角度是将所述一个保持部和与所述一个保持部相邻的两个保持部连结的两个线段所成的角度以上。
本实用新型的第二方式提供根据第一方式所述的输送系统,其特征在于,将被处理体在所述叉与所述载置台之间进行交接的位置是如下的位置:连结所述多个保持部而形成的多边形的重心与连结所述多个支承部而形成的多边形的重心一致。
本实用新型的第三方式提供根据第一或第二方式所述的输送系统,其特征在于,所述多个保持部是3个,所述多个支承部是3个。
本实用新型的第四方式提供根据第一至第三方式中任一方式所述的输送系统,其特征在于,所述多个保持部与所述被处理体的背面之间的摩擦系数是0.2以上。
本实用新型的第五方式提供根据第一至第三方式中任一方式所述的输送系统,其特征在于,所述多个保持部的肖氏硬度是100以下。
本实用新型的第六方式提供根据第一至第三方式中任一方式所述的输送系统,其特征在于,所述多个保持部由氟橡胶形成。
本实用新型的第七方式提供根据第一至第六方式中任一方式所述的输送系统,其特征在于,所述多个保持部具有用于保持所述被处理体的保持面,所述保持面相对于所述叉的上表面倾斜地设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





