[实用新型]功率封装结构及其引线框有效

专利信息
申请号: 201821113637.1 申请日: 2018-07-13
公开(公告)号: CN208422901U 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 刘静;张秀梅;詹桦;王栋 申请(专利权)人: 杭州士兰微电子股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/367
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;王月玲
地址: 310012*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 基岛 引脚 功率封装结构 引线框 芯片 本实用新型 芯片电连接 第一表面 高压击穿 电连接 漏电流 塑封体 安规 减小 封装 申请
【说明书】:

本申请公开了一种功率封装结构及其引线框。该功率封装结构包括:引线框,包括基岛、第一引脚以及第二引脚;芯片,位于所述基岛的第一表面上,与所述基岛电连接;以及塑封体,用于封装所述引线框与所述芯片,其中,所述第一引脚与所述基岛分离,位于所述基岛的一侧,与所述芯片电连接,所述第二引脚位于所述基岛的另一侧,与所述基岛相连。根据本实用新型提供的功率封装结构,第一引脚与基岛分离,留有足够的安规间距,避免了高压击穿的风险,同时减小了漏电流。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域,更具体地,涉及一种功率封装结构及其引线框。

背景技术

在消费类电子产品中,电源驱动类集成电路应用得非常广泛。LED照明、移动电源等设备都需要用到这一类驱动电路。随着应用面越来越广,驱动电路的电流越来越大,功率越来越大,需要这类集成电路具有更大的电流,具备更大的功率,更好的温升控制。

目前市场上主流的电源驱动类集成电路通常采用标准的集成电路封装(SmallOut-Line Package,SOP)、双列直插式封装(Dual In-line Package,DIP)、小外形晶体管封装(small-outline transistor,SOT)等封装外形,这些封装产品的功率在20W之内。标准的SOP、DIP、SOT封装外形的优点是封装资源多,成本低,但是在面对更大功率时,比如要做更大功率20W~100W的产品时,这类封装外形始终无法满足需求。

因此,需要一种新型的功率封装结构及其引线框来解决上述问题,既能满足更大功率产品的封装需求,又能兼顾成本、效率。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提供了一种功率封装结构及其引线框以解决上述问题。

根据本实用新型的一方面,提供了一种功率封装结构的引线框,包括:基岛,所述基岛的第一表面用于承载芯片,并与所述芯片电连接;第一引脚,位于所述基岛的一侧,与所述芯片电连接;以及第二引脚,位于所述基岛的另一侧,与所述基岛相连,其中,所述第一引脚与所述基岛分离。

优选地,所述基岛具有第二表面,所述基岛的第二表面与所述基岛的第一表面相对,其中,至少部分所述基岛的第二表面用于散热。

优选地,所述第二引脚具有第一开孔,所述第一开孔位于所述第二引脚的第一端。

优选地,所述第二引脚呈具有至少一个开口的板状。

优选地,所述第一开孔分布在所述开口的两侧。

优选地,所述第二引脚呈长方形板状,所述第一开孔均匀分布在所述第二引脚的第一端。

优选地,所述基岛包括分离的第一基岛与第二基岛,所述第一基岛与所述第二基岛并列排布,所述第二引脚与所述第一基岛相连。

优选地,还包括第三引脚,与所述第二引脚平行设置,与所述第二基岛的位置对应,并与所述第二引脚以及所述第二基岛分离。

优选地,所述第三引脚具有第二开孔,所述第二开孔位于所述第三引脚的第一端。

优选地,所述第一引脚的第一端与所述基岛之间的间隔距离的范围包括0.3mm至1.5mm。

优选地,所述第二引脚的第一端与所述基岛固定连接,其中,所述第二引脚用于散热。

根据本实用新型的另一方面,提供了一种功率封装结构,包括:引线框,包括基岛、第一引脚以及第二引脚;芯片,位于所述基岛的第一表面上,与所述基岛电连接;以及塑封体,用于封装所述引线框与所述芯片,其中,所述第一引脚与所述基岛分离,位于所述基岛的一侧,并与所述芯片电连接,所述第二引脚位于所述基岛的另一侧,与所述基岛相连。

优选地,所述基岛具有第二表面,所述基岛的第二表面与所述基岛的第一表面相对,其中,至少部分所述基岛的第二表面用于散热。

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