[实用新型]发光二极管晶圆的减薄结构有效
| 申请号: | 201821095121.9 | 申请日: | 2018-07-11 |
| 公开(公告)号: | CN208489173U | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
| 发明(设计)人: | 闫本贺 | 申请(专利权)人: | 深圳市丰颜光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
| 地址: | 518129 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 圆形通孔 晶圆 放置架 放置台 本实用新型 发光二极管 减薄结构 晶圆表面 安装架 放置座 卡槽 转轴 电机 接触式固定 物理性损伤 上端 固定座 上表面 支撑架 负压 减小 扇叶 打磨 连通 穿过 流动 | ||
本实用新型公开了发光二极管晶圆的减薄结构,包括放置台和晶圆,所述放置台的上表面通过四个支撑架共同固定连接有安装架,所述安装架上设有打磨结构,所述放置台的内部开设有第一圆形通孔,所述第一圆形通孔上固定连接有放置架,且放置架上开设有第五圆形通孔,所述放置架上固定连接有电机,所述电机通过转轴固定连接有扇叶,所述放置台上固定连接有放置座,所述放置座上开设有卡槽和第四圆形通孔,且第四圆形通孔和卡槽相互连通,所述转轴的上端穿过第四圆形通孔并固定连接有固定座。优点在于:本实用新型采用空气的流动所形成的负压对晶圆进行固定,不通过与晶圆表面接触进行固定,减小晶圆表面因接触式固定而产生的物理性损伤。
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工工艺技术领域,尤其涉及发光二极管晶圆的减薄结构。
背景技术
发光二极管它是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光能,内部零件中包含晶圆;晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶圆,由于其形状为圆形,故称为晶圆。
由于制造工艺的要求,对晶圆的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求,因此在几百道工艺流程中,不可采用较薄的晶圆,只能采用一定厚度的晶圆在工艺过程中传递、流片,通常在集成电路封装前,需要对晶圆背面多余的基体材料去除一定的厚度,这一工艺过程称之为晶圆背面减薄工艺,对应装备就是晶圆减薄机。
晶圆减薄机上设有磨砂轮,通过磨砂轮对晶圆表面进行打磨,在打磨前需要对晶圆进行固定,现有的固定方式是通过压针将晶圆压紧在固定座上,但是由于晶圆的精度要求高,现有的压紧固定方式很容易对晶圆产生物理性损伤,造成晶圆的浪费。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中晶圆的精度要求高,现有的压紧固定方式很容易对晶圆产生物理性损伤,造成晶圆的浪费问题,而提出的发光二极管晶圆的减薄结构。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
发光二极管晶圆的减薄结构,包括放置台和晶圆,所述放置台的上表面通过四个支撑架共同固定连接有安装架,所述安装架上设有打磨结构,所述放置台的内部开设有第一圆形通孔,所述第一圆形通孔上固定连接有放置架,且放置架上开设有第五圆形通孔,所述放置架上固定连接有电机,所述电机通过转轴固定连接有扇叶,所述放置台上固定连接有放置座,所述放置座上开设有卡槽和第四圆形通孔,且第四圆形通孔和卡槽相互连通,所述转轴的上端穿过第四圆形通孔并固定连接有固定座。
在上述的发光二极管晶圆的减薄结构中,所述打磨结构包含双轴气缸、伸缩杆和磨砂轮组成,所述安装架的上表面安装有双轴气缸,所述双轴气缸上设有两个伸缩杆,两个所述伸缩杆的下端均贯穿安装架并共同固定连接有磨砂轮。
在上述的发光二极管晶圆的减薄结构中,所述固定座的下表面开设有安装槽,且转轴的上端固定在安装槽上,所述固定座上固定连接有凸块,所述固定座的上表面开设有放置槽,且晶圆位于放置槽上。
在上述的发光二极管晶圆的减薄结构中,所述放置槽的内壁上黏贴有海绵环。
在上述的发光二极管晶圆的减薄结构中,所述放置座上开设有多个第二圆形通孔,所述固定座的下表面开设有多个第三圆形通孔。
在上述的发光二极管晶圆的减薄结构中,相邻两个所述支撑架之间固定连接有加强杆。
与现有的技术相比,本实用新型优点在于:
1:扇叶的转动会形成风,此过程会使得放置台上方的上方空气产生一个负压,利用空气的负压对晶圆产生一个竖直方向上的压力,进而对晶圆在竖直方向上进行固定。
2:转轴转动通过固定座带动晶圆进行转动,先通过双轴气缸控制伸缩杆的伸缩,进而控制磨砂轮所处的高度,需要对晶圆进行打磨时,先使得磨砂轮与晶圆接触,在通过晶圆的转动实现打磨。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





