[实用新型]一种外延结构及发光二极管有效
申请号: | 201821081704.6 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN208336254U | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 宋长伟;程志青;黄文宾;寻飞林;林兓兓;蔡吉明 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电型半导体层 电子阻挡层 外延结构 发光层 发光二极管 空穴注入效率 阻挡 半导体领域 本实用新型 晶格失配 量子效率 位错 溢流 延伸 | ||
1.一种外延结构,至少包括:
第一导电型半导体层;
第二导电型半导体层;
发光层,置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间;
其特征在于:所述发光层和第二导电型半导体层之间设置有第一电子阻挡层,所述第一电子阻挡层为含有Al组分的SiXN(1-X)层,其中0<X<1。
2.根据权利要求1所述的一种外延结构,其特征在于:所述第一电子阻挡层中Al组分的含量低于Si的含量。
3.根据权利要求1所述的一种外延结构,其特征在于:所述第一电子阻挡层为具有孔隙的结构,所述孔隙远离所述发光层一侧具有开口。
4.根据权利要求1所述的一种外延结构,其特征在于:所述第一电子阻挡层的厚度范围为1~50埃。
5.根据权利要求1所述的一种外延结构,其特征在于:所述第一电子阻挡层中Al组分为1~40%。
6.根据权利要求3所述的一种外延结构,其特征在于:所述第二导电型半导体层通过开口填充孔隙,并覆盖第一电子阻挡层。
7.根据权利要求1~5任意一项所述的一种外延结构,其特征在于:所述第一电子阻挡层和第二导电型半导体层之间设置有第二电子阻挡层。
8.根据权利要求7所述的一种外延结构,其特征在于:所述第二电子阻挡层通过开口填充第一电子阻挡层的孔隙并覆盖第一电子阻挡层。
9.根据权利要求8所述的一种外延结构,其特征在于:所述第二电子阻挡层远离第一电子阻挡层一侧的表面为平坦状,第二导电型半导体层平铺于第二电子阻挡层表面。
10.根据权利要求9所述的一种外延结构,其特征在于:所述第二电子阻挡层的厚度为10~400埃。
11.一种发光二极管,其特征在于:至少包括权利要求1~6、8~10任意一项所述的外延结构。
12.根据权利要求11所述的一种发光二极管,其特征在于:所述发光二极管为水平结构、倒装结构或者垂直结构。
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