[实用新型]一种管式炉上下料系统有效
申请号: | 201821036069.X | 申请日: | 2018-07-03 |
公开(公告)号: | CN208315521U | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 林佳继;庞爱锁;刘群;林依婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭西洋;苏芳 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 中转平台 花篮 缓存 本实用新型 上下料系统 机械手 传送装置 上料装置 下料装置 上下料 导片 上料 种管 传送 平台装置 多片 下料 | ||
本实用新型公开一种管式炉上下料系统,包括上料装置、下料装置、机械手;所述上料装置中的传送装置用于将导片花篮装置上的硅片依次传送至缓存花篮装置、中转平台装置,下料装置中的传送装置用于将中转平台装置上的硅片依次传送至缓存花篮装置、导片花篮装置;所述机械手用于从中转平台装置上吸取硅片上料或将硅片放至中转平台装置下料。本实用新型可实现多片硅片同时上下料,缩短上下料时间,同时可满足在上料之前的多硅片同时定位,结构简单、效率高。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池或半导体制造技术领域,尤其涉及一种管式炉上下料系统。
背景技术
管式炉用于半导体行业和光伏行业的扩散、镀膜工艺。目前卧式管式炉的上料方式发展很快,效率高,产能高;立式管式炉,由于上下料方式发展相对缓慢而相对落后。但立式管式炉相对于卧式管式炉有厂房面积占用小、碎片率极低、绕镀小、无卡槽印等优点。在硅片越来越薄,电池效率要求越来越高的趋势下,立式管式炉的市场越来越大。
相对于卧式管式炉而言,目前立式管式炉的产能一般,其中上下料系统的工作效率不高是其主要原因。大部分上下料装置由一个机械手一片一片抓取硅片放入炉管或从炉管内取出。这种上下料装置能实现功能,但相对的成本高,产能效率低。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种管式炉上下料系统,多片硅片同时上下料,缩短上下料时间,同时可满足在上料之前的多硅片同时定位,结构简单、效率高。
为实现上述目的,采用以下技术方案:
一种管式炉上下料系统,包括上料装置、下料装置、机械手;所述上料装置、下料装置均包括导片花篮装置、缓存花篮装置、中转平台装置、传送装置;所述上料装置或下料装置中的导片花篮装置、缓存花篮装置、中转平台装置分布在第一方向的一条直线上;所述传送装置用于将硅片在导片花篮装置、缓存花篮装置、中转平台装置之间传送;所述机械手用于从中转平台装置上吸取硅片上料或将硅片放至中转平台装置下料;所述中转平台装置包括第一平台板、若干定位机构、第一驱动机构;所述第一平台板顶部布置有若干第一传送带机构,第一传送带机构用于承接传送装置传送的硅片或将硅片传送至传送装置上;每一第一传送带机构对应一定位机构;所述第一驱动机构用于驱动第一平台板移动及驱动定位机构对第一传送带机构上的硅片定位。
较佳地,所述第一传送带机构、定位机构各设置为四个,四第一传送带机构的运动方向沿第一方向布置;每两第一传送带机构为一组,两组第一传送带机构平行布置。
较佳地,所述第一驱动机构包括平台支柱、旋转驱动模组、第一X轴驱动模组、第一Y轴驱动模组、第一Z轴驱动模组;所述平台支柱设于第一平台板中部,与每一定位机构经一传动带连接;所述旋转驱动模组用于驱动平台支柱旋转带动定位机构实现定位;所述第一X轴驱动模组、第一Y轴驱动模组、第一Z轴驱动模组分别用于带动第一平台板沿X轴方向、Y轴方向、Z轴方向移动。
较佳地,所述定位机构包括四定位块、四传动杆、一定位杆;所述四定位块分别布置在第一传送带机构的四侧,定位杆位于四定位块的中间,定位杆与每一定位块经一传动杆连接;所述平台支柱与定位杆经传动带连接,旋转驱动模组用于驱动平台支柱带动定位杆旋转以实现四定位块卡紧或松开硅片。
较佳地,所述中转平台装置还包括第二平台板;所述第二平台板平行设于第一平台板下方,第一平台板与第二平台板卡合形成隔层,旋转驱动模组、第一X轴驱动模组、第一Y轴驱动模组、第一Z轴驱动模组、传动杆、传动带、定位杆容纳于该隔层;所述第一平台板对应定位块设有滑槽孔,对应平台支柱设有活动通孔。
较佳地,所述机械手包括机械臂驱动机构、机械臂、吸盘;所述吸盘底部设有若干吸附位,每一吸附位上设有若干吸嘴;所述吸附位与第一传送带机构的数量与位置一一对应;所述机械臂驱动机构用于驱动机械臂带动吸盘运动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造