[实用新型]一种管式炉上下料系统有效
申请号: | 201821036069.X | 申请日: | 2018-07-03 |
公开(公告)号: | CN208315521U | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 林佳继;庞爱锁;刘群;林依婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭西洋;苏芳 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 中转平台 花篮 缓存 本实用新型 上下料系统 机械手 传送装置 上料装置 下料装置 上下料 导片 上料 种管 传送 平台装置 多片 下料 | ||
1.一种管式炉上下料系统,其特征在于,包括上料装置、下料装置、机械手;所述上料装置、下料装置均包括导片花篮装置、缓存花篮装置、中转平台装置、传送装置;所述上料装置或下料装置中的导片花篮装置、缓存花篮装置、中转平台装置分布在第一方向的一条直线上;所述传送装置用于将硅片在导片花篮装置、缓存花篮装置、中转平台装置之间传送;所述机械手用于从中转平台装置上吸取硅片上料或将硅片放至中转平台装置下料;所述中转平台装置包括第一平台板、若干定位机构、第一驱动机构;所述第一平台板顶部布置有若干第一传送带机构,第一传送带机构用于承接传送装置传送的硅片或将硅片传送至传送装置上;每一第一传送带机构对应一定位机构;所述第一驱动机构用于驱动第一平台板移动及驱动定位机构对第一传送带机构上的硅片定位。
2.根据权利要求1所述的管式炉上下料系统,其特征在于,所述第一传送带机构、定位机构各设置为四个,四第一传送带机构的运动方向沿第一方向布置;每两第一传送带机构为一组,两组第一传送带机构平行布置。
3.根据权利要求1所述的管式炉上下料系统,其特征在于,所述第一驱动机构包括平台支柱、旋转驱动模组、第一X轴驱动模组、第一Y轴驱动模组、第一Z轴驱动模组;所述平台支柱设于第一平台板中部,与每一定位机构经一传动带连接;所述旋转驱动模组用于驱动平台支柱旋转带动定位机构实现定位;所述第一X轴驱动模组、第一Y轴驱动模组、第一Z轴驱动模组分别用于带动第一平台板沿X轴方向、Y轴方向、Z轴方向移动。
4.根据权利要求3所述的管式炉上下料系统,其特征在于,所述定位机构包括四定位块、四传动杆、一定位杆;所述四定位块分别布置在第一传送带机构的四侧,定位杆位于四定位块的中间,定位杆与每一定位块经一传动杆连接;所述平台支柱与定位杆经传动带连接,旋转驱动模组用于驱动平台支柱带动定位杆旋转以实现四定位块卡紧或松开硅片。
5.根据权利要求4所述的管式炉上下料系统,其特征在于,所述中转平台装置还包括第二平台板;所述第二平台板平行设于第一平台板下方,第一平台板与第二平台板卡合形成隔层,旋转驱动模组、第一X轴驱动模组、第一Y轴驱动模组、第一Z轴驱动模组、传动杆、传动带、定位杆容纳于该隔层;所述第一平台板对应定位块设有滑槽孔,对应平台支柱设有活动通孔。
6.根据权利要求2所述的管式炉上下料系统,其特征在于,所述机械手包括机械臂驱动机构、机械臂、吸盘;所述吸盘底部设有若干吸附位,每一吸附位上设有若干吸嘴;所述吸附位与第一传送带机构的数量与位置一一对应;所述机械臂驱动机构用于驱动机械臂带动吸盘运动。
7.根据权利要求1所述的管式炉上下料系统,其特征在于,所述传送装置包括第二传送带机构、至少两纠偏机构;所述第二传送带机构沿第一方向运动,纠偏机构设于中转平台装置与缓存花篮装置之间的第二传送带机构两侧。
8.根据权利要求7所述的管式炉上下料系统,其特征在于,所述纠偏机构包括纠偏皮带、纠偏旋转柱、纠偏驱动电机;所述纠偏旋转柱用于张紧及导向纠偏皮带,纠偏驱动电机用于驱动纠偏皮带沿纠偏旋转柱的导向方向运动,且其运动速度与第二传送带机构的运动速度一致。
9.根据权利要求7所述的管式炉上下料系统,其特征在于,所述导片花篮装置包括第二驱动机构、导片花篮;所述导片花篮在竖直方向上间隔设有若干花篮齿,形成若干放置硅片的水平承载槽;所述第二传送带机构的一端置于导片花篮内,第二驱动机构用于驱动导片花篮升降以使导片花篮内的硅片适应第二传送带机构的高度。
10.根据权利要求7所述的管式炉上下料系统,其特征在于,所述缓存花篮装置包括第三驱动机构、缓存花篮;所述缓存花篮在竖直方向上间隔设有若干花篮齿,形成若干放置硅片的水平承载槽;所述第二传送带机构穿过缓存花篮布置,第三驱动机构用于驱动缓存花篮升降以使缓存花篮内的硅片适应第二传送带机构的高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造