[实用新型]锗纳米膜柔性金属型多沟道薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201821009348.7 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN208570615U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;裴智慧 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/16;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅介质层 掺杂区 本实用新型 二氧化铪 未掺杂区 沟道薄膜晶体管 柔性电子器件 金属薄膜 纳米膜层 柔性金属 纳米膜 聚对苯二甲酸乙二醇酯 大规模集成电路 金属源电极 光电器件 金属栅极 欧姆接触 柔性器件 透光性能 应用提供 可弯曲 漏电极 氧化锌 导电 通孔 穿透 金属 应用 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种锗纳米膜柔性金属型多沟道薄膜晶体管，其特征是，结构如下：柔性可弯曲聚对苯二甲酸乙二醇酯PET上方依次为金属薄膜、二氧化铪栅介质层，二氧化铪栅介质层上方为锗纳米膜层，锗纳米膜层中部为N型漏掺杂区及其上方金属漏电极，N型漏掺杂区外侧为未掺杂区，所述未掺杂区外侧布设有两个N型源掺杂区，两个N型源掺杂区经导线引出形成相应的两个金属源电极；所述未掺杂区上方为氧化锌栅介质层；金属栅极经穿透二氧化铪栅介质层的通孔与导电的金属薄膜形成欧姆接触。
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