[实用新型]晶舟及炉管装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶舟及炉管装置。所述晶舟，包括顶板、底板以及位于所述顶板与所述底板之间的若干支柱，所述支柱中设置有用于支撑晶圆的晶圆槽；所述晶圆槽的槽壁设置有沿自所述底板指向所述顶板方向突出的凸起部，所述凸起部用于与所述晶圆接触并支撑所述晶圆，以减少所述晶圆与所述晶圆槽的接触面积。本实用新型改善了晶圆表面沉积的膜层厚度不均匀的问题，提高了晶圆产品的质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶舟及炉管装置。

背景技术

随着智能手机、平板电脑等移动终端向小型化、智能化、节能化的方向发展，芯片的高性能、集成化趋势明显，促使芯片制造企业积极采用先进工艺，对制造出更快、更省电的芯片的追求愈演愈烈。尤其是许多无线通讯设备的主要元件需用40nm以下先进半导体技术和工艺，因此对先进工艺产能的需求较之以往显著上升，带动集成电路厂商不断提升工艺技术水平，通过缩小晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性，以及通过3D结构改造等非几何工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能等方式，实现硅集成的提高，以迎合市场需求。然而，这些技术的革新或改进都是以晶圆的生成、制造为基础。

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工、制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。

在半导体的制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆表面沉积不同的膜层。而在各种沉积薄膜的方法中，低压化学气相沉积(Low Pressure ChemicalVapor Deposition，LPCVD)是一种常用的方法，已经被广泛的应用到各种薄膜的沉积工艺中。而炉管则是LPCVD工艺中的主流设备。

炉管中具有用于承载晶舟的晶圆。但是，现有的晶舟用于承载晶圆的沟槽面为平面。当晶圆装载至所述晶舟后，所述晶圆与所述晶舟沟槽的接触区域形成死角，导致气体在这些接触区域无法流通，从而影响晶圆表面的温度分布，最终影响晶圆表面的膜层厚度均匀性，导致晶圆产品的质量下降。

因此，如何改善晶圆表面膜层厚度的均匀性，以提高晶圆产品的质量，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶舟及炉管装置，用以解决现有技术中在炉管装置内于晶圆表面沉积薄膜时易出现膜层厚度不均的问题，以提高晶圆产品的质量。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶舟，包括顶板、底板以及位于所述顶板与所述底板之间的若干支柱，所述支柱中设置有用于支撑晶圆的晶圆槽；所述晶圆槽的槽壁设置有沿自所述底板指向所述顶板方向突出的凸起部，所述凸起部用于与所述晶圆接触并支撑所述晶圆，以减少所述晶圆与所述晶圆槽的接触面积。

优选的，所述凸起部与所述晶圆接触的表面为曲面。

优选的，所述凸起部为半圆弧状结构，所述晶圆与所述半圆弧状结构的顶点接触。

优选的，所述凸起部包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面与所述凹槽的槽壁连接，所述第二表面与所述晶圆接触，且所述第一表面的宽度大于所述第二表面的宽度。

优选的，所述凸起部包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面与所述凹槽的槽壁连接，所述第二表面与所述晶圆接触，且所述第一表面的宽度等于所述第二表面的宽度。

优选的，所述凸起部包括多个子凸起，多个所述子凸起相互之间具有一预设距离的间隔，且多个所述子凸起共同支撑所述晶圆。

优选的，所述支柱的数量为三根或四根。

优选的，所述凸起部的高度为0.5mm～4mm。

为了解决上述问题，本实用新型还提供了一种炉管装置，包括一腔室；所述腔室内具有如上述任一项所述的晶舟。