[实用新型]半导体装置

说明书

本实用新型涉及一种半导体装置，其包括：第一表面；与第一表面相对的第二表面；及一或多个导电迹线，该导电迹线具有邻近于第一表面的第一端口和邻近于第二表面的第二端口，该导电迹线从第一端口沿平行于第一表面的方向延伸，且通过第一导电通孔后沿平行于第二表面的方向延伸至第二端口，该第一导电通孔从第一表面贯穿半导体装置延伸至第二表面。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，特别是涉及半导体装置。

背景技术

通常，半导体封装件包括位于载板上的存储器装置及其他类型的电子器件。存储器装置可以为，例如，但不限于，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)、快闪存储器(flash memory)或其他类型的存储器。当存储器装置安装或电连接至载板后，需要对存储器装置在载板上的性能(例如，信号完整性和时隙(timing))进行调试。但由于存储器装置已经安装至载板，所以在性能调试上可能较为困难。

通常将插入器(interposer)设置在存储器装置与载板之间，以测试存储器装置在载板上的性能。但是，如果插入器未被精心设计，则会影响存储器装置与载板上其他电子器件之间传输的信号质量，进而对半导体封装件的性能产生严重不利的影响。

因此，关于如何设计出能够良好地测试存储器装置在载板上的性能而同时不会对半导体封装件造成不良影响的插入器，业内仍存在相当多的技术问题亟需解决。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于提供半导体装置，其可以用于测试安装在载板上的存储器装置的性能，且不会对半导体封装件的性能产生不良影响。

本实用新型的一实施例提供一半导体装置，其包括：第一表面；与第一表面相对的第二表面；及一或多个导电迹线，该导电迹线具有邻近于第一表面的第一端口和邻近于第二表面的第二端口，该导电迹线从第一端口沿平行于第一表面的方向延伸，且通过第一导电通孔后沿平行于第二表面的方向延伸至第二端口，该第一导电通孔从第一表面贯穿半导体装置延伸至第二表面。

在本实用新型的另一实施例中，该导电迹线进一步包括接点，其中该接点暴露于第一表面或第二表面上。在本实用新型的又一实施例中，该半导体装置进一步包括位于半导体装置内的邻近第一表面的第一接地面、邻近第二表面的第二接地面和从第一接地面延伸至第二接地面的第二导电通孔，该第二接地面与该第一接地面相对。在本实用新型的另一实施例中，该第二导电通孔邻近该第一导电通孔。在本实用新型的又一实施例中，该半导体装置进一步包括从第一接地面延伸至第二接地面的第三导电通孔。在本实用新型的另一实施例中，该第三导电通孔邻近第一导电通孔。在本实用新型的又一实施例中，该半导体装置进一步包括从第一接地面延伸至第二接地面的导电环，该导电环包围且邻近第一导电通孔。在本实用新型的另一实施例中，该半导体装置具有多层结构。在本实用新型的又一实施例中，该导电迹线具有约50欧姆的阻抗。在本实用新型的另一实施例中，该半导体装置的导电迹线通过第一表面上的第一焊垫电连接至载板，该半导体装置的导电迹线通过第二表面上的第二焊垫电连接至第一集成电路封装体，其中载板包括电连接至第二集成电路封装体的导电迹线，且该半导体装置的导电迹线与该载板的导电迹线具有大体上相同的阻抗。

本实用新型实施例提供的半导体装置不仅能够良好地测试存储器装置安装在半导体封装件的载板时的性能，还不会对半导体封装件中传输的信号产生不良影响，具有成本低、使用方便和性能良好等诸多优点。

附图说明

图1是根据本实用新型一实施例的半导体装置的示意图

图1A是图1所示的实施例的半导体装置的沿线A-A的截面示意图

图1B是图1所示的实施例的半导体装置的沿线B-B的截面示意图

图2是根据本实用新型另一实施例的半导体装置的示意图