[实用新型]一种陶瓷吸片有效
申请号: | 201820425669.9 | 申请日: | 2018-03-28 |
公开(公告)号: | CN208284467U | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 邓建财;方庆富;王剑伟;王建丰;巫绍旺;游徵富;万太付 | 申请(专利权)人: | 金华市德裕精密陶瓷科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/68 |
代理公司: | 杭州云睿专利代理事务所(普通合伙) 33254 | 代理人: | 张骁敏 |
地址: | 321000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 片板 吸片 陶瓷 加固区 吸附 芯片 半导体器件 本实用新型 三角形分布 便于安装 激光器件 平滑结构 实用性能 市场推广 位置偏移 中空结构 凸起板 吸附力 衔接区 分选 固晶 缓冲 拾取 贴合 通孔 压伤 粘胶 粘贴 连通 | ||
本实用新型公开一种陶瓷吸片,包括片板,片板的表面采用粘胶贴合有凸起板形成加固区,加固区的两端均开设有便于安装的通孔,片板的表面为平滑结构,片板中间开设有呈三角形分布的吸附凹槽,吸附凹槽之间相互连通的中空结构设置为导向衔接区。陶瓷吸片可以起到缓冲的效果,避免LED芯片分选、LED固晶、激光器件芯片及半导体器件在拾取、粘贴工艺中出现压伤、损坏的现象。有效避免陶瓷吸片在吸取芯片过程中出现位置偏移的现象,增强安装时的吸附力,而且结构简单,实用性能优,设计新颖,是一种很好的创新方案,很有市场推广前景。
技术领域
本实用新型涉及陶瓷制品,特别是涉及一种陶瓷吸片。
背景技术
市面上LED芯片分选、LED固晶、激光器件芯片、半导体芯片的拾取或粘贴芯片在支架上等工序都需要采用吸片对芯片进行拾取。随着芯片外型尺寸的越来越小,及芯片厚度的越来越薄,对芯片的拾取要求也越来越高。
因芯片上方的薄膜层十分脆弱,为避免LED晶片在被吸片吸取时造成薄膜层压伤,因此大部分的吸片均以软质橡胶或塑料制作。以软质高分子材料制作的吸片虽然可以避免芯片被压伤或是破裂的现象,但是因为使用寿命极短,需要经常更换,另外由于软质材料容易卡住或镶嵌住芯片的碎屑,造成芯片的损坏,因此只要有碎片或异物卡在吸片上,该吸片的寿命就终止了。
为了解决寿命极短的问题,市面上出现了碳化钨、钨钢或精密陶瓷等材质所制成的吸片以增加使用寿命,但因为习作材质硬、无弹性,因此当吸取芯片时,容易造成芯片薄膜层被压伤,甚至造成衬底层破裂而封装后的芯片电性不稳定或者封装失败;若是将吸片吸取芯片的下压力降低,虽然可以降低芯片压伤的机率,但是会提高芯片没吸住而脱落的机率,作业性能不稳定。另外,芯片的固定位置及方向很容易出现偏移现象。
综上所述,针对现有技术的缺陷,特别需要一种陶瓷吸片,以解决现有技术的不足。
实用新型内容
针对现有技术中存在的不足,而在实际的过程中造成很大的影响,本实用新型提出一种陶瓷吸片,设计新颖,稳定性强,缓冲效果好而且定位准确,已解决现有技术的缺陷。
为了实现上述目的,本实用新型的技术方案如下:
一种陶瓷吸片,包括片板,片板的表面采用粘胶贴合有凸起板形成加固区,加固区的两端均开设有便于安装的通孔,片板的表面为平滑结构,片板中间开设有呈三角形分布的吸附凹槽,吸附凹槽之间相互连通的中空结构设置为导向衔接区。
进一步,所述的凸起板和的长度为片板长度的三分之一,凸起板的厚度大于片板的厚度。
在本实用新型所述的片板的四周设置为过滤平滑的圆角。
在本实用新型所述的吸附凹槽的数量为三个,吸附凹槽形状呈圆形,吸附凹槽的直径为3mm。
进一步,所述的片板为表面无釉或表面有釉的陶瓷体。
本实用新型的有益效果是:陶瓷吸片可以起到缓冲的效果,避免LED芯片分选、LED固晶、激光器件芯片及半导体器件在拾取、粘贴工艺中出现压伤、损坏的现象。有效避免陶瓷吸片在吸取芯片过程中出现位置偏移的现象,增强安装时的吸附力,而且结构简单,实用性能优,设计新颖,是一种很好的创新方案,很有市场推广前景。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式来详细说明本实用新型:
图1为本实用新型的结构示意图。
图中100-片板,110-凸起板,120-通孔,130-吸附凹槽,140-导向衔接区,150-圆角。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造