[实用新型]一种陶瓷吸片有效
| 申请号： | 201820425669.9 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN208284467U | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 邓建财;方庆富;王剑伟;王建丰;巫绍旺;游徵富;万太付 | 申请（专利权）人： | 金华市德裕精密陶瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/68 |
| 代理公司： | 杭州云睿专利代理事务所(普通合伙) 33254 | 代理人： | 张骁敏 |
| 地址： | 321000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 片板 吸片 陶瓷 加固区 吸附 芯片 半导体器件 本实用新型 三角形分布 便于安装 激光器件 平滑结构 实用性能 市场推广 位置偏移 中空结构 凸起板 吸附力 衔接区 分选 固晶 缓冲 拾取 贴合 通孔 压伤 粘胶 粘贴 连通 | ||
【权利要求书】：
1.一种陶瓷吸片，包括片板，其特征在于：片板的表面采用粘胶贴合有凸起板形成加固区，加固区的两端均开设有便于安装的通孔，片板的表面为平滑结构，片板中间开设有呈三角形分布的吸附凹槽，吸附凹槽之间相互连通的中空结构设置为导向衔接区。
2.根据权利要求1所述一种陶瓷吸片，其特征在于：所述的凸起板的长度为片板长度的三分之一，凸起板的厚度大于片板的厚度。
3.根据权利要求1所述一种陶瓷吸片，其特征在于：所述的片板的四周设置为过滤平滑的圆角。
4.根据权利要求1所述一种陶瓷吸片，其特征在于：所述的吸附凹槽的数量为三个，吸附凹槽形状呈圆形，吸附凹槽的直径为3mm。
5.根据权利要求1所述一种陶瓷吸片，其特征在于：所述的片板为表面无釉或表面有釉的陶瓷体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金华市德裕精密陶瓷科技有限公司，未经金华市德裕精密陶瓷科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820425669.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
