[实用新型]一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置有效
申请号: | 201820233666.5 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN208722880U | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 杜森;张元其;肖磊芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 像素排布结构 列方向 金属掩模板 显示装置 本实用新型 物理分辨率 低分辨率 发光像素 高分辨率 交替排列 显示效果 矩阵式 环绕 | ||
本实用新型公开了一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置,在像素排布结构中,由一个第一子像素和一个第二子像素组成的第一重复单元,和由一个第三子像素和一个第二子像素组成的第二重复单元在行方向和列方向交替排列,第二子像素呈矩阵式均匀分布,每四个第二子像素环绕一个第一子像素或一个第三子像素,从而使沿行方向相邻的第一子像素和第三子像素在列方向上均与第二子像素相邻,沿列方向相邻的第一子像素和第三子像素在行方向上均与第二子像素相邻,从而在显示时,任意相邻的两个第一子像素和第三子像素均可以和与其相邻的一个第二子像素组成一个发光像素点,子像素之间通过借色原理由低分辨率的物理分辨率实现高分辨率的显示效果。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤指一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器件是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器相比,OLED显示器件具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、PDA、数码相机等平板显示领域,OLED显示器件已经开始取代传统的液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)。
OLED显示器件的结构主要包括:衬底基板,制作在衬底基板上呈矩阵排列的子像素。其中,各子像素一般都是通过有机材料利用蒸镀成膜技术透过高精度金属掩模板,在阵列基板上的相应的子像素位置形成有机电致发光结构。由于高精度金属掩模板的开口大小直接决定了子像素的尺寸,因此高精度金属掩模板在制备工艺上存在限制,目前的像素排布结构很难得到高分辨率的显示器件。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置,用以解决现有技术中存在的显示分辨率低的问题。
本实用新型实施例提供的一种像素排布结构,包括:在行方向和列方向均交替排列的多个第一重复单元和多个第二重复单元;
所述第一重复单元包括一个第一子像素和一个第二子像素,所述第二重复单元包括一个第三子像素和一个所述第二子像素;
所述第二子像素呈矩阵式均匀分布,且每四个所述第二子像素环绕一个所述第一子像素或环绕一个所述第三子像素;
所述第二子像素的形状为轴对称图形。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第二子像素的形状为圆形、椭圆形、正多边形或具有倒圆角的正多边形。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第一子像素形状为轴对称图形。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第一子像素形状为曲边型,所述曲边型具有八条边,且所述曲边型中靠近所述第二子像素的边呈内凹的弧形。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述曲边型中靠近所述第三子像素的边为直线形。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第一子像素与相邻所述第二子像素相对的侧边相互平行。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第三子像素形状为轴对称图形。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第三子像素形状为曲边型,所述曲边型具有八条边,且所述曲边型中靠近所述第二子像素的边呈内凹的弧形。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述曲边型中靠近所述第一子像素的边为直线形。
可选地,在本实用新型实施例提供的像素排布结构中,所述第三子像素与相邻所述第二子像素相对的侧边相互平行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的