[实用新型]一种像素排布结构、高精度金属掩模板及显示装置有效
申请号: | 201820233666.5 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN208722880U | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 杜森;张元其;肖磊芳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子像素 像素排布结构 列方向 金属掩模板 显示装置 本实用新型 物理分辨率 低分辨率 发光像素 高分辨率 交替排列 显示效果 矩阵式 环绕 | ||
1.一种像素排布结构,其特征在于,包括:在行方向和列方向均交替排列的多个第一重复单元和多个第二重复单元;
所述第一重复单元包括一个第一子像素和一个第二子像素,所述第二重复单元包括一个第三子像素和一个所述第二子像素;
所述第二子像素呈矩阵式均匀分布,且每四个所述第二子像素环绕一个所述第一子像素或环绕一个所述第三子像素;
所述第二子像素的形状为轴对称图形。
2.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第二子像素的形状为圆形、椭圆形、正多边形或具有倒圆角的正多边形。
3.如权利要求2所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素形状为轴对称图形。
4.如权利要求3所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素形状为曲边型,所述曲边型具有八条边,且所述曲边型中靠近所述第二子像素的边呈内凹的弧形。
5.如权利要求4所述的像素排布结构,其特征在于,所述曲边型中靠近所述第三子像素的边为直线形。
6.如权利要求3所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素与相邻所述第二子像素相对的侧边相互平行。
7.如权利要求2所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素形状为轴对称图形。
8.如权利要求7所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素形状为曲边型,所述曲边型具有八条边,且所述曲边型中靠近所述第二子像素的边呈内凹的弧形。
9.如权利要求4、5或8任一项所述的像素排布结构,其特征在于,所述曲边型中靠近所述第一子像素的边为直线形。
10.如权利要求7所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素与相邻所述第二子像素相对的侧边相互平行。
11.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第一子像素的形状与所述第三子像的形状相同。
12.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第三子像素与相邻所述第一子像素相对的侧边相互平行。
13.如权利要求1所述的像素排布结构,其特征在于,所述第二子像素的面积小于所述第一子像素的面积,所述第二子像素的面积小于所述第三子像素的面积;
所述第二子像素为绿色子像素;所述第一子像素为红色子像素,所述第三子像素为蓝色子像素;或者,所述第一子像素为蓝色子像素,所述第三子像素为红色子像素。
14.一种高精度金属掩模板,用于制作如权利要求1-13任一项所述的像素排布结构,其特征在于,包括:多个开口区域,所述开口区域与所述第一子像素,第二子像素或第三子像素的形状和位置对应。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-13任一项所述的像素排布结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的