[实用新型]正面出光的高压LED微显示装置

说明书

本申请公开了一种正面出光的高压LED微显示装置，包括：一衬底；以及集成于所述衬底上的多个发光单元，每个所述发光单元分别包括依次形成于所述衬底上的外延层、ITO薄膜层和SiO₂钝化层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，还包括：成行排列的多条P电极，每条P电极分别与位于该行的所有发光单元的ITO薄膜层电性连接；成列排列的多条N电极，每条N电极分别与位于该列的所有发光单元的N型GaN层电性连接，所述SiO₂钝化层分隔于所述P电极和N电极之间。本实用新型装置直接作为显示装置，不需要额外的驱动电路，成本低，而且出光率高。

技术领域

本申请涉及LED技术领域，特别是涉及一种正面出光的高压LED微显示装置。

背景技术

大功率的LED，其通常工作在大电流下，电流扩展问题严重影响其性能。电流扩展不均容易导致电流拥挤，大大降低器件的发光效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种正面出光的高压LED微显示装置，以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本申请实施例公开一种正面出光的高压LED微显示装置，包括：

一衬底；以及

集成于所述衬底上的多个发光单元，每个所述发光单元分别包括依次形成于所述衬底上的外延层、ITO薄膜层和SiO₂钝化层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，还包括：

成行排列的多条P电极，每条P电极分别与位于该行的所有发光单元的ITO薄膜层电性连接；

成列排列的多条N电极，每条N电极分别与位于该列的所有发光单元的N型GaN层电性连接，

所述SiO₂钝化层分隔于所述P电极和N电极之间。

优选的，在上述的正面出光的高压LED微显示装置中，ITO薄膜的厚度为230nm。

优选的，在上述的正面出光的高压LED微显示装置中，所述衬底采用蓝宝石衬底。

优选的，在上述的正面出光的高压LED微显示装置中，所述P电极和N电极的材料为Cr/Au金属。

优选的，在上述的正面出光的高压LED微显示装置中，所述量子阱层采用InGaN/GaN结构。

优选的，在上述的正面出光的高压LED微显示装置中，所述量子阱层由4个量子阱且阱层厚度为4nm的量子阱组成。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型装置直接作为显示装置，不需要额外的驱动电路，成本低，而且出光率高。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本实用新型具体实施例中高压LED微显示装置的结构示意图；

图2所示为本实用新型具体实施例中P电极和N电极排列结构的俯视图。

具体实施方式