[实用新型]正面出光的高压LED微显示装置有效
| 申请号： | 201820223875.1 | 申请日： | 2018-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN207743228U | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 沈学如 | 申请（专利权）人： | 澳洋集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L21/77;H01L33/36;H01L33/04;H01L33/32;G09F9/33 |
| 代理公司： | 苏州市港澄专利代理事务所(普通合伙) 32304 | 代理人： | 马丽丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光单元 衬底 微显示装置 电性连接 高压LED 外延层 本实用新型 成行排列 量子阱层 驱动电路 显示装置 出光率 成列 分隔 申请 | ||
【权利要求书】：
1.一种正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，包括：
一衬底；以及
集成于所述衬底上的多个发光单元，每个所述发光单元分别包括依次形成于所述衬底上的外延层、ITO薄膜层和SiO2钝化层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，还包括：
成行排列的多条P电极，每条P电极分别与位于该行的所有发光单元的ITO薄膜层电性连接；
成列排列的多条N电极，每条N电极分别与位于该列的所有发光单元的N型GaN层电性连接，
所述SiO2钝化层分隔于所述P电极和N电极之间。
2.根据权利要求1所述的正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，ITO薄膜的厚度为230nm。
3.根据权利要求1所述的正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，所述衬底采用蓝宝石衬底。
4.根据权利要求1所述的正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，所述P电极和N电极的材料为Cr/Au金属。
5.根据权利要求1所述的正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，所述量子阱层采用InGaN/GaN结构。
6.根据权利要求5所述的正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，所述量子阱层由4个量子阱且阱层厚度为4nm的量子阱组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于澳洋集团有限公司，未经澳洋集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820223875.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光学指纹芯片的封装结构
- 下一篇：一种肖特基接触超级势垒整流器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
