[实用新型]一种等离子激活反应腔室及晶圆键合机台

说明书

本实用新型公开了一种等离子激活反应腔室及晶圆键合机台，属于半导体制造技术领域，适用于对待键合晶圆的键合面进行活化处理，包括：基座，所述基座上设置有下电极；聚焦环，呈圆环形，所述聚焦环围绕所述下电极设置于所述基座上；所述聚焦环的内侧面上设置有一环形的台阶，待处理的晶圆放置于所述台阶上；所述聚焦环的内侧面上还包括一背向所述聚焦环的中心倾斜的锥面，所述锥面连接所述台阶以及所述聚焦环的上表面。上述技术方案的有益效果是：通过改善聚焦环内侧面与晶圆之间的夹角，以避免晶圆与聚焦环产生碰撞，以解决现有技术中，因晶圆表面活化处理而导致的晶圆报废，以及晶圆键合良率低的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种适用于对待键合晶圆的键合面进行活化处理的等离子激活反应腔室及晶圆键合机台。

背景技术

在半导体制造技术中，为有效的增加芯片在单位面积内的器件数量或减小芯片封装的体积，通常采用键合技术将两层或多层具有集成电路的晶圆键合在一起形成键合晶圆。为保证键合强度，提高键合效率，在键合之前需要对晶圆进行表面活化处理，通常是将晶圆放置在晶圆键合机台的等离子激活反应腔室内，等离子激活反应腔室包括相对设置的上电极和下电极，待处理的晶圆放置在下电极上，通过上下两个电极提供不同的电压功率，形成电场，轰击腔体中的气体分子形成离子，然后轰击晶圆便面的化学键(si-o)，从而使得晶圆表面活化。等离子激活反应腔室内还包括聚焦环，待处理的晶圆放置在聚焦环内，以改善整片晶圆表面活化的均匀性。

如图1所示，电激活反应腔室内还包括接收传送装置(a)，设置于下电极(b)的中部，上接收传送装置升起时接收待处理的晶圆(c)，或将处理后的晶圆传送出去，由于电激活反应腔室内的气流因素影响，往往待处理晶圆的中心不会与接收传送装置的中心重合，将接收传送装置升起时晶圆会产生倾斜，而现有技术中聚焦环(d)的内侧面与晶圆垂直，当晶圆因被顶起而倾斜时会碰撞聚焦环，导致晶圆破损；另外，经过多次摩擦后可能会导致聚焦环移位，从而导致后续的晶圆被聚焦环搁住，无法完全落在规定位置，使得晶圆表面活化不均匀，进而影响后续晶圆键合的强度，导致晶圆键合良率低。

发明内容

根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种等离子激活反应腔室及晶圆键合机台，通过改善聚焦环内侧面与晶圆之间的夹角，以避免晶圆与聚焦环产生碰撞，旨在解决现有技术中，因晶圆表面活化处理而导致的晶圆报废，以及晶圆键合良率低的问题。本实用新型采用如下技术方案：

一种等离子激活反应腔室，适用于对待键合晶圆的键合面进行活化处理，包括：

基座，所述基座上设置有下电极；

聚焦环，呈圆环形，所述聚焦环围绕所述下电极设置于所述基座上；

所述聚焦环的内侧面上设置有一环形的台阶，待处理的晶圆放置于所述台阶上；

所述聚焦环的内侧面上还包括一背向所述聚焦环的中心倾斜的锥面，所述锥面连接所述台阶以及所述聚焦环的上表面。

较佳的，上述等离子激活反应腔室中，所述聚焦环由硅或炭化硅制成。

较佳的，上述等离子激活反应腔室中，所述聚焦环包括：

下聚焦环，围绕所述下电极设置于所述基座上；

上聚焦环，同心地设置于所述下聚焦环上，所述上聚焦环的内侧面为所述锥面；

所述上聚焦环的内径大于所述下聚焦环的内径，所述下聚焦环伸出于所述上聚焦环的内侧面部分构成所述台阶。

较佳的，上述等离子激活反应腔室中，所述聚焦环包括：

内聚焦环，围绕所述下电极设置于所述基座上；

外聚焦环，设置于所述基座上并套设于所述内聚焦环上；