[实用新型]一种等离子激活反应腔室及晶圆键合机台有效
申请号: | 201820119330.6 | 申请日: | 2018-01-24 |
公开(公告)号: | CN207834260U | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 刘洋 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚焦环 晶圆 晶圆键合 机台 反应腔室 活化处理 等离子 下电极 半导体制造技术 激活 锥面 本实用新型 晶圆表面 锥面连接 键合面 上表面 圆环形 键合 良率 报废 侧面 | ||
1.一种等离子激活反应腔室,适用于对待键合晶圆的键合面进行活化处理,其特征在于,包括:
基座,所述基座上设置有下电极;
聚焦环,呈圆环形,所述聚焦环围绕所述下电极设置于所述基座上;
所述聚焦环的内侧面上设置有一环形的台阶,待处理的晶圆放置于所述台阶上;
所述聚焦环的内侧面上还包括一背向所述聚焦环的中心倾斜的锥面,所述锥面连接所述台阶以及所述聚焦环的上表面。
2.如权利要求1所述的等离子激活反应腔室,其特征在于,所述聚焦环由硅或炭化硅制成。
3.如权利要求1所述的等离子激活反应腔室,其特征在于,所述聚焦环包括:
下聚焦环,围绕所述下电极设置于所述基座上;
上聚焦环,同心地设置于所述下聚焦环上,所述上聚焦环的内侧面为所述锥面;
所述上聚焦环的内径大于所述下聚焦环的内径,所述下聚焦环伸出于所述上聚焦环的内侧面部分构成所述台阶。
4.如权利要求1所述的等离子激活反应腔室,其特征在于,所述聚焦环包括:
内聚焦环,围绕所述下电极设置于所述基座上;
外聚焦环,设置于所述基座上并套设于所述内聚焦环上;
所述外聚焦环的内侧面包括所述锥面和贴合所述内聚焦环的外侧面的竖直面;
所述内聚焦环构成所述台阶。
5.如权利要求1所述的等离子激活反应腔室,其特征在于,所述台阶的上表面与所述下电极的上表面位于同一水平面上。
6.如权利要求1所述的等离子激活反应腔室,其特征在于,所述台阶的高度为1mm。
7.如权利要求1所述的等离子激活反应腔室,其特征在于,所述聚焦环的宽度为3mm。
8.如权利要求1所述的等离子激活反应腔室,其特征在于,所述锥面与水平面的夹角为40-60度。
9.一种晶圆键合机台,其特征在于,包括如权利要求1-8中任意一项所述的等离子激活反应腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造