[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光二极管为底发射型量子点发光二极管，所述底电极靠近所述量子点发光层的表面设置有纳米柱微结构；所述纳米柱微结构中的纳米柱的侧边包覆有用于形成环形微腔的第一材料层，相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间设有第二材料，所述第一材料层的折射率大于所述纳米柱的折射率，且所述第一材料层的折射率大于第二材料的折射率。该纳米柱微结构在光输出方向对输出光进行一定程度的振荡放大、限制引导，降低波导模式，从而提高器件出光效率。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

近年来，QLED(Quantum Dot Light Emitting Diode，量子点发光二极管)和OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)由于其高亮度、低功耗、广色域等优点获得了越来越多的关注，逐渐成为显示领域的两大主流技术，并形成分庭抗礼之势。而QLED因其低启亮电压、窄发光峰、发光波长可调等优势，展示出了巨大的应用潜力。

而在QLED器件性能方面，器件的出光效率较低一直是研究者们关注的重点之一。目前常用的提高器件出光效率的方法有基于微腔效应控制器件厚度、利用布拉格反射镜、光子晶体等，但此类方法通常工序复杂，控制难度高，不利于实施。

因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有QLED器件的出光效率低的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光二极管为底发射型量子点发光二极管，所述底电极靠近所述量子点发光层的表面设置有纳米柱微结构；

所述纳米柱微结构中的纳米柱的侧边包覆有用于形成环形微腔的第一材料层，相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间设有第二材料，所述第一材料层的折射率大于所述纳米柱的折射率，且所述第一材料层的折射率大于第二材料的折射率。

本发明提供的量子点发光二极管中，在底电极靠近所述量子点发光层的表面设置有纳米柱微结构，该纳米柱微结构中的纳米柱周围包覆有用于形成环形微腔的第一材料层，所述第一材料层的折射率大于与其相邻的所述纳米柱和第二材料的折射率；该第一材料层包覆在纳米柱周围形成环形微腔结构，当从量子点发光层出射的光在传播过程中，经过环形微腔结构时，可以在高低折射率材料界面(第一材料层与相邻两材料的界面)部分形成全反射(因为第一材料层的折射率大于纳米柱的折射率、且大于第二材料层的折射率)，这样使得光在微小腔体内部(即在第一材料层内)传导，从而减少光损失，该纳米柱微结构在光输出方向对输出光进行一定程度的振荡放大、限制引导，减少波导模式，从而提高器件出光效率。

本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供底电极；

在所述底电极表面制备纳米柱微结构；

在所述纳米柱微结构中的纳米柱侧边包覆一层用于形成环形微腔的材料层；

在相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间沉积第二材料；