[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光二极管为底发射型量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极靠近所述量子点发光层的表面设置有纳米柱微结构；

所述纳米柱微结构中的纳米柱的侧边包覆有用于形成环形微腔的第一材料层，相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间设有第二材料，所述第一材料层的折射率大于所述纳米柱的折射率，且所述第一材料层的折射率大于第二材料的折射率。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米柱微结构表面设置有回填层，所述回填层的材料为所述第二材料，所述回填层填充在相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间，且所述第一材料层的折射率大于所述回填层的折射率。

3.如权利要求2所述 的量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，所述回填层与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层；和/或，所述顶电极与所述量子点发光层之间设置有电子功能层；或者，

所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，所述回填层与所述量子点发光层之间设置有电子功能层；和/或，所述顶电极与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层。

4.如权利要求1所述 的量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，所述纳米柱微结构表面设置有空穴功能层，所述空穴功能层的材料为所述第二材料，所述空穴功能层填充在相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间，且所述第一材料层的折射率大于所述空穴功能层的折射率；和/或，

所述顶电极与所述量子点发光层之间设置有电子功能层。

5.如权利要求4所述 的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴功能层为空穴注入层。

6.如权利要求1所述 的量子点发光二极管，其特征在于，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，所述纳米柱微结构表面设置有电子功能层，所述电子功能层的材料为所述第二材料，所述电子功能层填充在相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间，且所述第一材料层的折射率大于所述电子功能层的折射率；和/或，

所述顶电极与所述量子点发光层之间设置有空穴功能层。

7.如权利要求1-6任一项所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一材料层的材料选自氧化钼、氧化铟锡、氮化硅、硒化锌中的至少一种；和/或，

相邻两个所述纳米柱的间距为100-800nm。

8.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供底电极；

在所述底电极表面制备纳米柱微结构；在所述纳米柱微结构中的纳米柱侧边包覆第一材料层；

在相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间沉积第二材料；

其中，所述第一材料层的折射率大于所述纳米柱的折射率，且所述第一材料层的折射率大于第二材料的折射率。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述底电极表面制备纳米柱微结构的步骤包括：

在所述底电极表面沉积PS纳米球溶液，得到单层PS纳米球薄膜；

将所述单层PS纳米球薄膜刻蚀处理，使所述PS纳米球直径的尺寸缩小，得到PS纳米球直径缩小的单层PS纳米球薄膜；

以所述PS纳米球直径缩小的单层PS纳米球薄膜为掩膜版，对所述底电极进行刻蚀处理，然后去除PS纳米球，在底电极表面形成纳米柱微结构。

10.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述底电极表面制备纳米柱微结构的步骤包括：

提供具有纳米柱微结构的纳米压印模板；

将所述纳米压印模板压入光刻胶，脱模后，得到带有纳米微结构图案的光刻胶；

采用反应离子刻蚀技术，将光刻胶上的纳米微结构图案转移到底电极表面，在底电极表面形成纳米柱微结构。