[发明专利]一种化合物半导体的金属连线结构及其制作方法

权利要求书

1.一种化合物半导体的金属连线结构的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

1)提供已完成部分器件制程的晶片，所述晶片上设有第一金属层；

2)于上述结构上沉积第一介质层；

3)涂布绝缘层，蚀刻所述绝缘层以形成位于所述第一金属层上方的开口；

4)依次沉积金属附着层和电镀种子层，所述金属附着层为TiW；

5)涂布光阻，并通过曝光、显影形成对应所述开口的显开窗口，且所述显开窗口的宽度大于所述开口；

6)通过电镀工艺于所述显开窗口之内沉积厚度高于所述开口的电镀金属层，然后剥离光阻；

7)蚀刻去除裸露的电镀种子层，于形成的结构表面沉积第二介质层，对第二介质层进行干法蚀刻以留下附着于所述电镀金属层和电镀种子层侧壁的侧翼；蚀刻去除裸露的金属附着层，通过所述侧翼控制金属附着层的侧蚀刻边缘位于电镀金属层边缘和侧翼边缘之间；其中所述第二介质层为SiN，厚度为200～600nm；

8)沉积保护层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述金属附着层的厚度为10～100nm。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述电镀种子层和电镀金属层均为Au，其中电镀种子层厚度为100～600nm，电镀金属层厚度为2～8μm。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述保护层为SiN。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述保护层的厚度为200～1000nm。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述开口的角度为45°到90°，所述显开窗口的角度为70°到90°。

7.根据权利要求1或3所述的制作方法，其特征在于：步骤8)中，沉积所述保护层之前，还包括于所述电镀金属层的顶部形成Ti层的步骤。

8.由权利要求1～7任一项所述方法制作的化合物半导体的金属连线结构，其特征在于：包括晶片、第一金属层、第一介质层、绝缘层、金属附着层、电镀种子层、电镀金属层、第二介质层侧翼和保护层；第一金属层设于晶片上的预设区域，第一介质层覆盖晶片和第一金属层表面，绝缘层设于第一介质层上且于对应第一金属层上方设有开口，金属附着层、电镀种子层和电镀金属层依次覆盖所述开口的表面并延伸至覆盖开口两侧的绝缘层表面，第二介质层侧翼附着于电镀金属层和电镀种子层的侧壁，且金属附着层的边缘位于电镀金属层边缘和第二介质层侧翼边缘之间；保护层设于上述结构表面。