[发明专利]具有图形的光罩的制造方法在审
| 申请号: | 201811608259.9 | 申请日: | 2018-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN111381436A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
| 发明(设计)人: | 李传 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44 |
| 代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静;李丽 |
| 地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 图形 制造 方法 | ||
1.一种具有图形的光罩的制造方法,其特征在于,包括:
提供设计图形和标准测试图形;
采用测试电子束光刻工艺写入所述标准测试图形,生成测试光罩,获取所述测试光罩中的测试图形与标准测试图形之间的位置偏差量;
采用实际电子束光刻工艺写入所述设计图形,生成具有图形的光罩,且在所述实际电子束光刻工艺过程中,基于获取的所述位置偏差量对所述设计图形进行补偿,以抵消所述实际电子束光刻工艺中的反射电子对电子束位置造成的电子束位置偏移量。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述具有图形的光罩中的图形与所述设计图形一致。
3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述测试电子束光刻工艺的工艺参数与所述实际电子束光刻工艺的工艺参数相同。
4.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在所述实际电子束光刻工艺过程中,基于所述位置偏差量对所述设计图形进行补偿的方法包括:
基于所述位置偏差量对所述设计图形进行补偿修正,获得修正图形;
采用实际电子束光刻工艺,在光罩内写入所述修正图形,生成所述具有图形的光罩。
5.如权利要求4所述的制造方法,其特征在于,生成所述具有图形的光罩的工艺步骤包括:提供基板、位于所述基板上的掩膜版、以及位于所述掩膜版表面的光刻胶层;根据所述修正图形,确定电子束投射到光刻胶层上的位置,对所述光刻胶层进行曝光处理;对曝光处理后的光刻胶层进行显影处理,暴露出部分掩膜版;刻蚀去除所述暴露出的掩膜版直至露出基底表面;去除所述光刻胶层。
6.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述基板的材料包括石英玻璃或硼硅玻璃。
7.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述掩膜版的材料包括铬。
8.如权利要求7所述的制造方法,其特征在于,在形成所述掩膜版之前,还包括,在所述基板表面形成粘附层;在形成所述光刻胶层之前,还包括,在所述掩膜版表面形成抗反射层。
9.如权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述粘附层的材料为铬的氧化物或者铬的氮化物;所述抗反射层的材料为三氧化二铬。
10.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在所述实际电子束光刻工艺过程中,基于所述位置偏差量对所述设计图形进行补偿的方法包括:
所述设计图形对应具有电子束光刻工艺中的设计电子束投射位置,基于所述位置偏差量对所述设计电子束投射位置进行补偿修正,获得修正电子束投射位置;
采用实际电子束光刻工艺,采用具有所述修正电子束投射位置的电子束在光罩内写入所述设计图形,生成所述具有图形的光罩。
11.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述标准测试图形中的图形密度为25%~40%。
12.如权利要求11所述的制造方法,其特征在于,所述标准测试图形中的图形密度为30%。
13.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述标准测试图形中的图形形状为条状。
14.如权利要求13所述的制造方法,其特征在于,所述标准测试图形中的图形包括沿X方向延伸的条状图形以及沿Y方向延伸的条状图形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811608259.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光装置
- 下一篇:一种安防雷达系统中防区的绘制方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





